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2026年英伟达硬件设计笔试专业能力试题及解析

一、选择题（每题2分，共10题）

说明：本部分考察硬件设计基础知识，涉及半导体器件、电路分析、数字逻辑等领域。

1.以下哪种存储器具有非易失性，断电后仍能保存数据？

A.SRAM

B.DRAM

C.FlashMemory

D.RegisterFile

2.在CMOS电路中，PMOS和NMOS互补工作的主要目的是？

A.提高功耗

B.减小噪声容限

C.提高驱动能力

D.增加晶体管尺寸

3.以下哪种总线协议适用于高速数据传输且支持热插拔？

A.USB2.0

B.PCIe4.0

C.SATAIII

D.I2C

4.GPU中用于并行计算的核心单元是？

A.ALU

B.ControlUnit

C.StreamProcessor

D.CacheController

5.以下哪种技术主要用于提高芯片能效？

A.ClockGating

B.Overclocking

C.Powergating

D.ThermalThrottling

二、填空题（每题3分，共5题）

说明：本部分考察硬件设计中的关键术语和概念。

6.在硬件设计中，__________是指芯片性能与功耗的比值。

7.PCIeExpress通道中，每条通道的带宽为__________GT/s（Gigatransferspersecond）。

8.3DNAND存储器通过__________技术提高了存储密度。

9.GPU中的__________单元负责调度线程和资源分配。

10.在VLSI设计中，__________是指电路中信号传输延迟与时钟周期的比值。

三、简答题（每题5分，共4题）

说明：本部分考察对硬件设计原理的理解和应用能力。

11.简述SRAM和DRAM的主要区别及其在GPU中的应用场景。

12.解释PCIe5.0相比PCIe3.0的主要技术改进。

13.描述GPU中内存层次结构（L1/L2/L3Cache）的设计原则。

14.说明时钟域交叉（CDC）在多时钟域设计中如何避免亚稳态问题。

四、计算题（每题10分，共2题）

说明：本部分考察硬件设计中的定量分析能力。

15.某SRAM单元的漏电流为1nA，工作电压为0.5V，假设供电频率为500MHz，计算该SRAM单元的静态功耗。

16.一个GPU核心的Fmax为1.5GHz，假设其功耗为200W，计算该核心的能效比（GFLOPS/W）。

五、设计题（每题15分，共2题）

说明：本部分考察硬件设计的实践能力，结合英伟达GPU特性进行设计。

17.设计一个简单的2:1MUX（多路选择器）电路，要求使用CMOS逻辑实现，并说明其工作原理。

18.假设你要为英伟达GPU设计一个低功耗的L2Cache，请提出至少三种优化方案并说明其原理。

答案及解析

一、选择题答案

1.C.FlashMemory

-FlashMemory为非易失性存储器，常见于SSD和存储卡。SRAM和DRAM为易失性存储器，断电后数据丢失。

2.C.提高驱动能力

-PMOS和NMOS互补工作可增大电路的输出电流，从而提高驱动能力。

3.B.PCIe4.0

-PCIe4.0支持高达16GB/s的带宽，且支持热插拔，适用于高速GPU互联。

4.C.StreamProcessor

-GPU的核心单元为流处理器（StreamProcessor），用于并行计算。

5.A.ClockGating

-ClockGating通过关闭未使用模块的时钟信号来降低功耗。

二、填空题答案

6.PerformanceperWatt

-性能功耗比是衡量芯片能效的关键指标。

7.16

-PCIe4.0每通道带宽为16GT/s，双向传输，总带宽32GT/s。

8.Stacking

-3DNAND通过堆叠技术将多层存储单元垂直排列，提高密度。

9.Scheduler

-Scheduler负责管理和分配GPU资源。

10.ClockRatio(orfT/f)

-时钟频率与传输延迟的比值影响电路速度。

三、简答题答案

11.SRAM和DRAM的主要区别及其应用场景

-区别：SRAM使用多晶体管（6T）存储1位，速度快但面积大；DRAM使用1T1C（1晶体管1电容）存储1位，面积小但速度慢。

-应用：SRAM用于Cache（如L1/L2），DRAM用于主内存。GPU中L1Cache通常为SRAM，主内存为DRAM。

12.PCIe5.0的技术改进

-带宽翻倍（32GT/s/通道），支持更高速设