500V 8A N沟道MOSFET特性与应用.pdfVIP

2010年3月

TM

tm

UniFET

FDP8N50NZ/FDPF8N50NZN沟

道MOSFET500V，8A，0.85

特点描述

•导通电阻=0.77(典型值)@栅源电压=10V,漏极电流4A这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条

•低栅极电荷(典型值14nC)纹DMOS技术制造。

•低Crss(典型值5pF)这项先进技术特别针对最小化导通状态电阻、卓越的开关性

•快速开关能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲进行了优化。这些器

件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。

•100%雪崩测试

•提高dv/dt能力

•静电放电（ESD）改进能力

•符合RoHS

D

G

TO‑220F

TO‑220GSD

GDSFDPF系列

FDP系列

(灌封)

S

MOSFET最大额定值TC=25°C除非另有说明

符号参数FDP8N50NZFDPF8N50NZ单位

VDSS漏极到源极电压500V

VGSS栅极到源极电压±25V

‑连续(TC=25°C)88*

ID漏极电流