AlGaN_GaN HEMT器件特性的多维度仿真与深度解析.docx

AlGaN/GaNHEMT器件特性的多维度仿真与深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对半导体器件性能的要求日益严苛。在这样的背景下，氮化镓（GaN）材料凭借其独特的优势脱颖而出，成为半导体领域的研究热点。GaN作为第三代半导体材料的代表，拥有宽禁带宽度（约3.4eV），这使其在高功率、高温以及高频等应用场景中展现出卓越的性能。与传统的硅（Si）基半导体材料相比，GaN的电子饱和漂移速度更高，能够实现更快的信号处理速度；热导率也更高，在工作过程中能够更有效地散热，提高器件的稳定性和可靠性。这些优异的特性使得GaN在半导体领域具有巨大的应用潜力。

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