CN112635592B 一种太阳能电池及其制作方法 （泰州隆基乐叶光伏科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112635592B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202011556509.6

(22)申请日2020.12.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112635592A

(43)申请公布日2021.04.09

(73)专利权人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵区兴泰南

路268号

(72)发明人童洪波李华靳玉鹏

(74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限公司11628

专利代理师付珍王胜利

H10F71/00(2025.01)

(56)对比文件

CN109616528A,2019.04.12

CN105448676A,2016.03.30

CN111584679A,2020.08.25

JP2015109361A,2015.06.11审查员卢青

权利要求书2页说明书10页附图5页

(51)Int.CI.

H10F

H10F

77/1223(2025.01)10/10(2025.01)

(54)发明名称

一种太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN112635592B本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以减少掺杂表面的损伤。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底上形成保护膜；在保护膜上形成掺杂源层；掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；采用热处理的方式将掺杂源层中的掺杂元素穿过保护膜推进到硅基底中，以对硅基

CN112635592B

CN112635592B权利要求书1/2页

2

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一具有隧穿钝化层的硅基底；

在所述硅基底上的隧穿钝化层上形成保护膜，其中，所述保护膜为本征半导体膜；

在所述保护膜的局部区域上形成掺杂源层；所述掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜，所述掺杂源层的掺杂元素浓度大于或等于1×1021cm?3;所述保护膜用于阻隔所述掺杂源层和硅基底直接接触，避免所述掺杂源层对所述硅基底的腐蚀和破坏；

采用热处理的方式将所述掺杂源层中的掺杂元素穿过所述保护膜推进到硅基底中，以对所述硅基底进行局部掺杂，热处理后，所述硅基底的掺杂表面的掺杂浓度为1×101cm?3~4×102?cm?3。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的材料包括硅、碳化硅、锗中的至少一种；和/或，

所述保护膜的材料包括非晶半导体材料、多晶半导体材料、纳米晶半导体材料、微晶半导体材料中的至少一种。

3.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。

4.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂溶液含有乙醇，所述乙醇的质量分数为2%～30%;所述掺杂源层的形成方式为涂覆方式。

5.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，

所述掺杂剂浆料含有的掺杂剂质量分数为0.01%～10%;所述掺杂源层的形成方式为涂布方式、印刷方式、转印方式中至少一种。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂浆料还含有纳米硅粉，所述纳米硅粉的质量分数为10%～80%,所述纳米硅粉的粒径为5nm～500nm,和/或，

所述掺杂剂浆料还含有氧化硅，所述氧化硅的质量分数为10%～80%,所述氧化硅的粒径为5nm～500nm。

7.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂源层所含有的掺杂剂为磷酸、磷酸盐、偏磷酸、偏磷酸盐、五氧化二磷或磷单质，或，所述掺杂源层的所含有的掺杂剂为氮化硼、氧化硼、硼酸、碳化硼、硼硅化物、硼化铝或硼酸盐。

8.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，

热处理后，当掺杂磷原子时，所述保护膜的掺杂浓度为2×102?cm?3~4×1021cm?3,当掺杂硼原子时，所述保护膜的掺杂浓度为1×101?cm3~3×102?cm?3。

9.根据权利要求1～2任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掺杂源层的厚度为10nm~