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高考复习专题电子技术习题

一、半导体器件基础

（一）典型例题解析

例题1：二极管电路分析

在如图所示的电路中，已知电源电压为直流电压U，二极管D为理想二极管（正向导通时压降为0，反向截止时电阻无穷大），电阻R为定值电阻。试分析当开关S分别置于位置A和位置B时，二极管的工作状态及电阻R两端的电压UR。

（*此处应有电路图：一个简单的串联电路，电源U、开关S（单刀双掷，分别接A、B两点）、二极管D、电阻R串联。当S接A时，二极管D的正极接电源正极；当S接B时，二极管D的正极接电源负极。*）

解析：

理想二极管的分析关键在于判断其“导通”与“截止”状态。

1.当开关S置于位置A时：

此时，二极管D的阳极（正极）通过开关A连接至电源U的正极，阴极（负极）经电阻R连接至电源U的负极。二极管两端承受正向电压。根据理想二极管特性，正向导通时压降为0，故二极管可视为短路。此时，电路中电流I=U/R，电阻R两端的电压UR=U（因为二极管压降为0，电源电压全部加在R上）。

2.当开关S置于位置B时：

此时，二极管D的阳极通过开关B连接至电源U的负极，阴极经电阻R连接至电源U的正极。二极管两端承受反向电压。理想二极管反向截止时电阻无穷大，可视为开路。此时，电路中电流I=0，电阻R两端无电流流过，根据欧姆定律UR=I×R=0。

点评：本题考察理想二极管的伏安特性及在简单直流电路中的应用。解题的核心是准确判断二极管两端的电压极性，从而确定其工作状态。对于理想二极管，无需考虑其导通压降和反向漏电流，这是简化分析的基础。实际解题中，若遇到非理想二极管，则需考虑其正向导通压降（如硅管约0.7V，锗管约0.3V）。

例题2：三极管放大电路的静态分析

某共发射极放大电路中，已知电源电压UCC=12V，基极偏置电阻RB=300kΩ，集电极负载电阻RC=4kΩ，三极管的电流放大系数β=50，忽略三极管的基射极电压UBE（设UBE=0）。试估算该电路的静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。

解析：

静态工作点的估算主要依据直流通路。对于共发射极电路，其直流通路中，基极电流IBQ由电源UCC经RB提供，集电极电流ICQ由IBQ控制，UCEQ则为电源电压减去集电极电阻上的压降。

1.计算基极静态电流IBQ：

由于忽略UBE，根据基极回路的欧姆定律：

IBQ≈UCC/RB

代入数据：IBQ≈12V/300kΩ=0.04mA（或40μA）

2.计算集电极静态电流ICQ：

根据三极管电流放大关系：ICQ=β×IBQ

代入数据：ICQ=50×0.04mA=2mA

3.计算集射极静态电压UCEQ：

根据集电极回路：UCEQ=UCC-ICQ×RC

代入数据：UCEQ=12V-2mA×4kΩ=12V-8V=4V

点评：静态工作点是放大电路能否正常工作的基础。本题考察了最基本的固定偏置共发射极电路静态工作点的估算方法。实际解题时，若题目给出UBE的值（如硅管常取0.7V），则在计算IBQ时应使用公式IBQ=(UCC-UBE)/RB，以获得更精确的结果。同时，需理解静态工作点对放大电路性能的影响，如Q点过高可能导致饱和失真，Q点过低可能导致截止失真。

（二）巩固练习题

练习1：电路如图所示，D1、D2均为理想二极管，电源电压U1=6V，U2=3V，电阻R=1kΩ。试判断D1、D2的工作状态，并计算流过电阻R的电流I。

（*提示：理想二极管正向导通时，其两端电压为0，可优先判断哪个二极管两端的正向电压更大，或假设某二极管导通后看是否与假设一致。*）

练习2：在一个分压式偏置共发射极放大电路中，已知UCC=15V，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，三极管β=60，UBE=0.7V。试计算静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。

（*提示：分压式偏置电路通过引入发射极电阻RE和分压电阻RB1、RB2来稳定静态工作点，计算时先求基极电位UBQ。*）

练习3：简述场效应管与双极型三极管在导电机理上的主要区别，并说明为什么场效应管具有输入电阻高的特点。

二、基本放大电路与集成运算放大器

（一）典型例题解析

例题3：放大电路性能指标分析

某单管共发射极放大电路，输入正弦信号电压的有效值Ui=10mV，输出正弦信号电压的有效值Uo=1V，输入电阻Ri=1kΩ，输出电阻Ro=4kΩ。试计算该放大电路的电压放大倍数Au、源电压放大倍数Aus（设信号源内阻Rs=1kΩ）。

解析：

1.电压放大倍数Au：

Au定义为输出电压有效值与输入电压有效值之比，即：

Au