化学机械抛光液20.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

磨

料

颗

粒

SiO2（100nm）

20

－

－

－

－

－

－

－

Al2O3（200nm）

－

1

－

－

－

－

－

－

ZrO2（100nm）

－

－

10

－

－

－

－

－

CeO2（80nm）

－

－

－

5

－

－

－

－

SiC（30nm）

－

－

－

－

5

－

－

－

Fe2O3（50nm）

－

－

－

－

―

10

－

－

TiO2（100nm）

－

－

－

－

－

－

10

－

Si3N4（150nm）

－

－

－

－

－

－

－

10

H2O2

1

10

5

5

5

5

5

10

过硫

酸盐

过硫酸钾

0.1

－

－

－

－

－

－

－

过硫酸铵

－

5

1

2

2

2

2

2

阳离

子表

面活

性剂

十六烷基三甲基溴化铵

0.01

－

－

－

－

0.5

－

－

聚季铵盐-6（二甲基二丙烯

氯化铵均聚物）

－

0.1

－

－

－

－

0.2

0.02

十八烷基二甲基苄基季铵氯化物

－

－

1

－

－

－

－

－

双十八烷基胺盐酸盐

－

－

－

0.2

－

－

－

－

十八烷基胺盐酸盐

－

－

－

－

0.01

－

－

－

PH调

节剂

氨

9

－

－

－

－

－

－

－

TMAH

－

10

－

12

11

10

12

12

KOH

－

－

11

－

－

－

－

－

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合均匀，再用PH调节剂调节至所需的PH值，即为抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料颗粒1~20、过氧化氢1~10、过硫酸盐0.1~5、阳离子表面活性剂0.01~1、PH调节剂9~12、去离子水余量。

所述的研磨颗粒可为本领域常用研磨颗粒，较佳的为SiO2、Al2O3、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2、Si3N4、磨料颗粒中的一种或多种，更佳的为SiO2磨料颗粒。磨料颗粒的粒径大小较佳的为30~200nm。

所述的过硫酸盐可以是过硫酸的金属盐，也可以是非金属盐，较佳的是过硫酸钾或过硫酸铵，更佳的是过硫酸铵。当选用过硫酸盐的非金属盐时，减少了化学机械抛光液中的金属离子含量，可以有效的降低金属离子的站污。

本品的化学机械抛光液是通过氧化剂组合，即过氧化氢和过硫酸盐，二者在pH为9~12的碱性条件下的协同作用来显著提高钨的研磨速率的。

本品中，所述的化学机械抛光液还可以含有阳离子表面活性剂和／或过氧化物稳定剂。

其中，所述的阳离子表面活性剂的作用是有效抑制对二氧化硅介质层的研磨速率，从而提高化学机械抛光液对钨和二氧化硅的选择比。所述的阳离子表面活性剂较佳的选自胺盐型和／或季铵盐型表面活性剂，更佳的为季铵盐型阳离子表面活性剂。其中，季铵盐型表面活性剂优选十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基二甲基节基季铵氯化物和聚季铵盐-6（二甲基二丙烯氯化铵均聚物，粘度：5000~25000cps/25℃

其中，所述的过氧化物稳定剂是本领域常规的过氧化物稳定剂，用于稳定体系中的过氧化物，较佳的是尿素。

所述的pH调节剂较佳的是氨、氢氧化钾和季铵碱中的一种或多种。所述的季铵碱的氮原子上的取代基较佳的为碳原子数1~4的烷基中的一种或多种，更佳的为甲基、乙基、丙基和丁基中的一种或多种，最优选氢氧化四甲铵（TMAH）。当pH调节剂选用氢氧化四甲铵和／或氨为调节剂时，减少了化学机械抛光液中的金属离子含量，可以有效的降低金属离子的站污。

本品的化学机械抛光液中还可以添加本领域常规添加的辅助性助剂，如粘度调节剂、缓蚀剂和杀菌剂等。

本品中的化学机械抛光液的pH较佳的是9~12，更佳的是10~12。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

（1）本品的化学机械抛光液通过过氧化氢和过硫酸盐在碱性条件下的协同作用，使其具有显著提高的钨的去除速率。

（2）在本品一较佳的实施例中，加入了阳离子表面活性剂，抑制了二氧化硅的去除速率，从而提高了抛光液对钨和二氧化硅的选择比。

（36）在本品一较佳的实施例中，采用过硫酸盐的非金属盐，采用氢氧化四甲铵中氨为PH调节剂，使得抛光液中不含金属离子，从而实现抛光过程中完全消除金属离子的污染。

参考文献中国专利公告CN－200810201029.0