半导体锑化铟化学机械抛光液.docVIP

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  • 2026-01-23 发布于河北
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半导体锑化铟化学机械抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

SiO2浓度为30%,粒径为10nm的硅溶胶

4780

SiO2浓度为30%,粒径为50nm的硅溶胶

2780

SiO2浓度为30%,粒径为30nm的硅溶胶

3780

SiO2浓度为50%,粒径为10nm的硅溶胶

4830

SiO2浓度为40%,粒径为20nm的硅溶胶

2865

SiO2浓度为40%,粒径为40nm的硅溶胶

3860

SiO2浓度为40%,粒径为50nm的硅溶胶

4860

有机碱

羟乙基乙二胺

75

75

75

四甲氢氧化铵

50

三乙醇胺

25

六羟乙基乙二胺

20

四羟乙基乙二胺

5

活性剂

O-20

40

40

40

Oπ-7

30

Oπ-10

70

OS-15

50

JFC

100

螯合剂

FA/O

5

5

25

10

10

10

10

氧化剂

过氧化氢

100

100

100

80

25

过氧酵磷酸

50

40

去离子水

2000

1000

制备方法首先将硅溶胶搅拌均匀,然后在连续搅拌的情况下加入有机碱、活性剂、螯合剂,最后加入氧化剂,搅拌均匀即得本品抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:SiO2浓度为30~50%的硅溶胶2780~4860、有机碱5~75、活性剂30~100、螯合剂5~25、氧化剂25~100、去离子水1000~2000。

所述硅溶胶中二氧化硅的粒径为10~50nm,分散度在±5%之间。

所述的有机碱是多羟多胺类有机碱,选择加入四甲氢氧化铵、羟乙基乙二胺、三乙醇胺、六羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺等等之一。

所述的氧化剂是碱性介质下可溶的过氧化物,选择加入过氧化氢、过氧焦磷酸之一。

所述的表面活性剂是非离子界面活性剂,有O系列,OS系列,Oπ二系列,JFC型;选择加入O-20、OS-15、Oπ-7、Oπ-10、JFC之一或其中几种的混合物。

所述赘合剂为具有13个螯合环、可溶于水、不含金属离子的FA/O螯合剂。

抛光剂的PH值为9~12。

产品应用本品主要应用于半导体锑化铟化学机械抛光。

产品特性

(1)本品以纳米级二氧化硅为磨料,其硬度较小,分布均匀,可以解决InSb磨料的划伤性问题;且流动性好、无沉淀、抛光后产物粘度小,后续清洗简单;且二氧化硅磨料无毒、无污染,是理想的磨料。有效的解决了划伤及后清洗困难的问题,提高了产品的成品率。

(2)本品采用一种具有13个以上的螯合环、易溶于水、不含金属离子的FA/O螯合剂,代替EDTA、EDPA等含有金属离子的螯合剂以及乙二胺四乙酸等难溶于水的螯合剂,有效的解决了螯合剂引入的金属离子。

(3)有机碱在抛光液中作为PH值调节剂,由于其不含金属离子,由它取代一般碱性抛光液常用的强碱如氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH),可以避免碱金属离子在抛光过程中进入衬底中,引起器件局部穿通,漏电流增大等效应,从而提高芯片的可靠性。而且,可以防止金属离子使硅溶胶产生凝胶,提高硅溶胶的稳定性。有机碱还可以作为PH值缓冲剂,即当抛光液局部PH值发生变化时,可以迅速释放本身的羟基,使抛光液保持稳定的PH值,提高浆料的稳定性。另外,有机碱可以和金属离子形成环状结构,起到螯合剂的作用。

(4)氧化剂在抛光过程中可以将InSb表面氧化成较软的氧化层,这样,在磨料的磨除作用下,能较容易的剥离下来,这样可以提高抛光速率。降低粗糙度。本发明所用的氧化剂为碱性介质下可溶的过氧化物,如过氧化氢、过氧酵磷酸等,它不含金属离子,不会引起金属离子沾污;而且反应产物无污染,易于清洗。

(5)表面活性剂在InSb抛光中起着非常重要的作用。它影响着抛光液的分散性、颗粒吸附后清洗难易程度以及金属离子沾污等问题。本发明选择的活性剂,不仅可以提高质量传递速率,以降低工nSb的表面粗糙度;而且能减小损伤层厚度,减少划伤,还可以优先吸附,形成长期易清洗的物理吸附表面,以改善表面状态。

(6)本品的配方中所选用的有机碱、表面活性剂、氧化剂以及螯合剂中均不含有金属离子,大大降低了抛光液中金属离子的含量,提高了产品的质量和可靠性。而且,后清洗简单,降低了后清洗中的费用。

(7)本品的抛光液中磨料的浓度大,可以对大粒子杂质起到很好的阻档作用,能够减少

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