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大尺寸硅片用化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

二氧化硅磨料

5~50

PH值调节剂

1~10

表面活性剂

0.01~5

助清洗剂

0.01~0.05

螯合剂

0.01~2

去离子水

加至100

制备方法

（1）取一定量的去离子水，向其中加入有机碱PH值调节剂，配制质量分数为1~10%的溶液；

（2）在搅拌的条件下，向上述溶液中加入非离子表面活性剂；

（3）在搅拌的条件下，向其中加入助清洗剂；

（4）在搅拌的条件下，向其中加入螯合剂和无机碱PH值调节剂；

（5）搅拌的条件下，向其中加入粒径30~150nm，浓度1~50%，PH＝10.5±0.5的硅溶胶，最后得到的PH值为11.5±0.2的大尺寸硅片用化学机械抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅磨料5~50、PH值调节剂1~10、表面活性剂0.01~5、助清洗剂0.01~0.05、螯合剂0.01~2、去离子水余量。

所述硅溶胶是指磨料粒径为30～150nm，磨料固含量为1～50％的二氧化硅溶胶，所述二氧化硅溶胶的pH值为10.5±0.5。

所述pH值调节剂包括无机碱pH值调节剂和有机碱pH值调节剂，无机碱pH值调节剂和有机碱pH值调节剂的比例为1∶1～1∶8。

所述无机碱pH值调节剂是浓度为40％的KOH溶液，所述有机碱pH值调节剂是片状无水哌嗪晶体。

所述有机碱pH值调节剂是有机胺碱，所述有机胺碱是指乙二胺、哌嗪、三乙胺、氢氧化四甲基胺和氢氧化四乙基胺中的一种或两种以上的组合。

所述表面活性剂为非离子表面活性剂，所述非离子表面活性剂是指醚醇类活性剂。

所述醚醇类活性剂为乙二醇，聚乙二醇，脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚或阴离子聚丙烯酸盐。

所述螯合剂为有机含氮化合物，所述有机含氮化合物是指哌嗪、乙二胺、三乙醇胺、氢氧化四乙基胺中的一种或两种以上的组合。

所述助清洗剂为异丙醇。

产品应用本品主要应用于大尺寸硅片用化学机械抛光。

产品特性

（1）选用纳米二氧化硅溶胶作为抛光液磨料，其特征是pH范围10～11，粒径30～150nm，硬度低，分散度小，提高了抛光表面的一致性，能够达到高去除速率、高平整、低损伤。

（2）选用复合碱做pH值调节剂，包括无机碱KOH和有机胺碱，KOH能够增强抛光液的化学作用，有机胺碱能够很好的保持溶液的pH值稳定，确保化学作用的一致稳定，从而实现抛光速率的稳定，同时还能起到络合剂的作用，有助于抛光产物从晶体表面脱离，提高了抛光效率。

（3）选用非离子表面活性剂，增强了高低选择比，大大降低了表面张力、减少了损伤层，提高了质量传输速率，增强了运输过程，达到高平整、低粗糙度表面。

（4）选用有机含氮化合物做为金属离子螯合剂，降低金属离子玷污的危险。

（5）加入了一种清洗助剂异丙醇，有助于减少颗粒吸附，降低了后期清洗成本。

（6）本发明提供的抛光液为pH值为11.50±0.20的碱性抛光液，对抛光设备无腐蚀，对环境无污染，储存时间长，抛光一致性好。

（7）制作工艺简单，制作成本低，能够满足半导体行业对硅单晶片表面质量和去除速率的要求，具备良好的商业开发前景。

参考文献中国专利公告CN－201010207551.7