超大规模集成电路铝布线抛光液 (2).docVIP

超大规模集成电路铝布线抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

三乙醇胺

0.4

－

乙二胺

－

0.7

18MΩ以上超纯去离子水

4.9

4.8

FA/OI活性剂

0.2

0.5

粒径15~100nm纳米SiO2水溶胶

4.5

4

制备方法（1）清洗容器和管道：采用18MΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍；操作工人身体及手套、口罩及服装进行风浴超净处理，环境净化级别不低于千级；

（2）将碱性pH值调节剂和FA/OI型表面活性剂用18MΩ以上超纯去离子水稀释后通过负压逐渐吸入密闭反应器内，采用负压涡流法进行气体搅拌；pH值调节剂加入量为直至抛光液达到pH值10~13即可；

（3）通过负压向反应器内逐渐吸入粒径15~100nm的纳米级硅溶胶，浓度达到25~50％，继续保持负压涡流搅拌状态3分钟停止，待液面稳定后，打开排放阀灌装到洁净容器中密封好。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：碱性PH值调节剂0.4~0.7、18MΩ以上超纯去离子水4.8~4.9、FA/OI型表面活性剂0.2~0.5、粒径15~100nm纳米SiO2水溶胶4~4.5。

所述FA/OI型表面活性剂由天津晶岭微电子材料有限公司生产销售的商品。

所述碱性pH调节剂可以是如三乙醇胺等有机碱。

采用方法的作用为：采用无机械负压涡流搅拌方法，采用有机玻璃材质的反应釜，不含金属离子的聚丙烯、聚乙烯材质的管道系统，可避免抛光液制备过程中引入有机物、大颗粒、金属离子污染问题。由于SiO2水溶胶在高pH值、高浓度下易凝聚，变成胶冻，而在pH值大于12时易溶解。在传统机械搅拌状态下，在加入pH值调节剂的过程中，反应釜壁以及底部存在滞留层，pH值调节剂和SiO2水溶胶分布不均匀，在反应釜壁以及底部存在局部峰值，极易出现凝聚或溶解，影响抛光液质量。在涡流状态下，缓慢加入使用18MΩ以上超纯水溶解后的pH值调节剂，可使加入的pH值调节剂迅速混合均匀，可以避免出现反应釜壁以及底部存在滞留层而产生的局部高pH值，即可避免SiO2水溶胶凝聚或溶解。

产品应用本品主要应用于集成电路铝布线抛光。

产品特性采用负压涡流法进行气体搅拌和非金属材质的反应釜及管道抛光液制备方法，可避免反应釜壁及底部形成滞留层而出现局部pH值和硅溶胶浓度峰值，造成抛光液凝聚或分解；可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；选用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其粒径小、分散度好、浓度高、对基片损伤度小，能够达到高速率、高平整、低损伤抛光，且污染小，解决了Al2O3磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多弊端。

参考文献中国专利公告CN－201010231821.8