ULSI铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液.docVIP

ULSI铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

纳米SiO2溶胶

260

3600

2200

去离子水

3710

200

1660

胺碱

20

160

90

FA/O活性剂

5

20

25

FA/O络合剂

5

20

25

制备方法

（1）采用18MΩ以上超纯水清洗反应器3次，去除反应器内部杂质，再用负压将pH值9~13、粒径为15~40nmSiO2溶胶吸入反应器；

（2）在负压作用下,实现反应液的剧烈涡流搅拌，使反应器内部无滞留层与死角，可避免外界灰尘等大颗粒杂质引入抛光液中；利用负压吸入经18MΩ超纯水稀释后的碱性pH调节剂调节pH值为9~13；在涡流状态下加入所述量的活性剂、络合剂与碱性pH调节剂胺碱，搅拌均匀。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：纳米SiO2磨料260~3600、去离子水200~3710、活性剂5~25、络合剂5~25、胺碱20~160。

所述磨料是粒径15~40nm、分散度0.0001的SiO2溶胶，浓度4~50%。

所述活性剂为市售FA/O活性剂。

所述络合剂为市售FA/O络合剂。

所述胺碱任意选择三乙醇胺、四乙基氢氧化胺、乙二胺、羟乙基乙二胺或多乙烯多胺中的一种以上。

所述步骤（2）反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂之一；避免了传统金属反应器、金属管道、金属搅拌杆等金属离子引入到抛光液中。

在负压下形成剧烈涡流搅拌，可避免层流区纳米硅溶胶凝聚而造成无法使用；且18MΩ超纯水溶解后的碱性调节剂在负压下引入，可避免因局部反应液pH过高而导致纳米硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用。

本品中采用方法的作用为：抛光液制备反应器采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层流区硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；可避免18MΩ超纯水溶解后的碱性pH调节剂由于局部pH过高而导致凝聚，无法使用。

产品应用本品主要应用于ULSI铜表面高精密加工过程中化学机械抛光。

产品特性选用碱性抛光液，可对设备无腐蚀，硅溶胶稳定性好，解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多难题；利用基片材料的两面性，pH值9以上时，易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面。

选用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其粒径小(15~40nm)、浓度高（4~50%）、硬度小（对基片损伤度小）、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了现有Al2O3磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多难题。特别采用粒径为20nm左右、分散度0.0001的SiO2的水溶胶代替Al2O3作为磨料使用，不但可以有效解决Al3+污染问题，还可以解决由于磨料硬度、分散度和粘度造成的抛光镜面表面缺陷和难清洗问题。

负压搅拌的抛光液制备方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层流区硅溶胶的凝聚或溶解而无法使用；可避免18MΩ超纯水溶解后的碱性pH调节剂由于局部pH过高而导致凝聚无法使用的现象。

本品反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂等材质中的一种，避免了采用传统金属反应器、金属管道、金属搅拌杆等将金属离子引入到抛光液中的弊端。

制备过程中采用负压搅拌，不仅搅拌均匀，有效解决因反应液局部碱性过高导致的SiO2胶体凝聚、溶解等生产问题，而且避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求。该方法同时可实现纳米SiO2磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解。利用该抛光液的配制方法，在相应的抛光工艺条件下进行抛光，可实现ULSI铜表面的高精密加工。并能满足工业上对ULSI铜表面CMP精密加工的要求。

同时，本品还具有成本低、高效率、不污染环境及腐蚀设备等优点。

参考文献中国专利公告CN－201010231552.5