SiSb基相变材料用化学机械抛光液.docVIP

SiSb基相变材料用化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

氧化铈颗粒（10nm）

30

－

－

－

－

－

－

－

－

氧化钛颗粒（150nm）

－

2

－

－

－

－

－

－

―

氧化铝颗粒（80nm）

－

－

4

－

－

－

－

－

－

氧化锆颗粒（100nm）

－

－

－

3

－

－

－

－

－

氧化钛颗粒（1500nm）

－

－

－

－

30

－

－

－

－

氧化硅颗粒（200nm）

－

－

－

－

－

1

－

－

－

氧化锆颗粒（30nm）

－

－

－

－

－

－

6

－

－

氧化铝颗粒（1000nm）

－

－

－

－

－

－

－

5

－

氧化铈颗粒（60nm）

－

－

－

－

－

－

－

－

5

双氧水

0.01

－

－

2

－

－

－

5

3

铁氰化钾

－

1.5

－

－

－

1

4

－

－

过硫酸铵

－

－

3

－

0.5

－

－

―

－

聚丙烯酸钠

4

－

－

－

0.01

－

－

1

－

聚氧乙烯硫酸钠

－

0.5

0.5

－

－

－

0.5

－

－

聚氧乙烯醚磷酸酯

－

－

－

0.3

－

0.3

－

－

0.3

脯氨酸

0.3

－

－

－

－

－

－

－

－

柠檬酸

－

0.2

－

－

－

－

－

－

－

水杨酸

－

－

1

－

－

－

－

－

－

氨基乙酸

－

－

－

0.1

－

－

－

－

－

对苯二酸

－

－

－

－

3

－

－

－

－

草酸

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

丁二酸

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

乙酸

－

－

－

－

－

－

－

0.01

－

蚁酸

－

－

－

－

－

－

－

－

2

PH值（硝酸调）

3

－

－

－

4

－

2

－

－

PH值（磷酸调）

－

5

－

1

－

3

－

－

－

PH值（氢氧化钾酸调）

－

－

11

－

－

－

－

－

－

PH值（四甲基氢氨调）

－

－

－

－

－

－

－

10

－

PH值（羟乙基乙二氨调）

－

－

－

－

－

－

－

－

9

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分溶于水混合均匀即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：含氧化物抛光颗粒0.2~30、氧化剂0.01~5、表面活性剂0.01~4、有机添加剂0.01~3、PH调节剂1~11、水余量。

所述的含氧化物抛光颗粒为氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛或胶体氧化硅，粒径范围10~1500nm；优选的粒径范围是30~200um。

所述的氧化剂为铁氰化钾、双氧水或过硫酸铵。

所述的表面活性剂为聚氧乙烯硫酸钠AES、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯、烷基醇聚氧乙烯基醚或十六烷基三甲基溴化铵。

所述的有机添加剂为乙酸、蚁酸、草酸、柠檬酸、对苯二酸、水杨酸、脯氨酸、氨基乙酸、丁二酸或酒石酸。

所述的pH调节剂为硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨或四甲基氢氨，pH值的范围1~11。

产品应用本品主要应用于SiSb基相变材料用化学机械抛光。

产品特性通过本品提供的化学抛光浆液，SiSb基相材料的抛光速率可控制在5~2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下，利用该抛光液对SiSb基相材料速率可控、表面质量好且低损伤的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。

参考文献中国专利公告CN－200910054391.4