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超大规模集成电路铝布线抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

浓度20%，粒径15~20nm的SiO2溶胶

760

－

－

－

－

浓度10%，粒径35~40nm的SiO2溶胶

－

2000

－

－

－

浓度40%，粒径25~30nm的SiO2溶胶

－

－

3600

－

－

浓度30%，粒径20~25nm的SiO2溶胶

－

－

－

1000

－

浓度20%，粒径15~20nm的SiO2溶胶

－

－

－

－

2000

碱性调节剂

乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）

400

154

90

200

160

表面活性剂

FA/O表面活性剂

400

146

10

－

－

OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)

－

－

－

200

－

OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)

－

－

－

－

40

氧化剂

过氧化氢

40

－

120

－

50

过氧酵磷酸钠

－

100

－

200

－

去离子水

2400

1600

180

2400

1750

制备方法取SiO2溶胶，边搅拌边放入去离子水中，活性剂边搅拌边倒入上述液体，然后取碱性调节剂，搅拌均匀后和超大规模集成电路多层铝布线抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：硅溶胶760~3600、PH值调节剂90~400、表面活性剂40~400、氧化剂40~200、去离子水180~2400。

所述硅溶胶是粒径15~40nm的SiO2溶胶，其浓度1~50%。

所述的碱性调节剂为胺碱，所述的胺碱是多羟多胺类有机碱，为乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）。

所述表面活性剂是非离子表面活性剂，为FA/O表面活性剂、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、OS-15的一种或几种。

所述氧化剂为碱性介质下可溶的过氧化物，为过氧化氢或过氧酵磷酸钠。因为酸性抛光液存在着上述问题，碱性浆料成为研究的重点。

碱性浆料中一般包含络合剂、氧化剂、活性剂、PH调制剂及磨料。对于铝的CMP，使用碱性浆料有两大优点，一是铝是两性金属，经试验表明，在CMP条件下它可和有机胺碱快速反应，而有机碱是呈碱性的，可生成可溶性大分子偏铝酸胺，从而大大增加了铝离子在浆料中的溶解度，降低了被研磨掉物质的再沉积，提高了机械作用对CMP的有效作用。另外，反应生成大分子可溶性物质与主体作用力小，极容易被浆料带走，从而不产生金属离子沾污；另一个优点是选择纳米级的磨料硅溶胶在碱性条件不易凝胶，可很方便的实现高平整、低损伤层、事后易清洗等优点。

本品中各组分的作用分别为：

PH调节剂，在本品碱性抛光液中，碱的选荆民重要。文献报道的抛光液中常使用NaOH、KOH等强碱作为pH值调制剂。但是，这有一个很大的问题，碱金属离子在抛光过程中会进入衬底或介质层中，从而引起器件的局部穿通效应、漏电流增大等效应，使芯片工作的可靠性降低、器件寿命减小；并且，假如使用硅溶胶作为磨料，强电解质铭离子会使硅溶胶凝胶，从而使抛光液报废。选择不含金属离子的有机碱就解决了这些问题。胺碱作为抛光液PH调节剂，可起到缓冲剂的作用，既可实现高PH值（PH13）磨料稳定存在，又可生成大分子产物且溶于水，使反应产物在小的机械作用下即可脱离加工表面，同时还能起到络合及鳌合作用，实现反应剂一剂多用，降低成本。

本品选用的纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其粒径小（15~40nm）、浓度高（40~50%）、硬度6~7（对基片损伤度小）、分散度好，能够达到高速率高平整低损伤抛光、污染小，解决了Al2O3磨料硬度大易划伤、易沉淀等诸多弊端；且流动性好、抛光后产物粘度小，后续清洗简单。表面活性剂影响着抛光液的分散性、颗粒吸附后清洗难易程度以及金属离子沾污等问题。

本品选用的表面活性剂不仅可以提高质量传递速率，以提高平整度；而且能降低表面张力，提高凹凸选择比，降低粗糙度，减少损伤雾，还可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态。又能起到渗透和润滑作用，从而有效的提高了交换速率，增强了输运过程，达到高平整高光洁表面。

氧化剂，抛光过程中可以将基板表面氧化成较软的氧化层，这样，在磨料的磨除作用下，能较容易的剥离下来，这样可以提高抛光速率。基板抛光液常用氧化剂有K3［Fe(CN）6］、Fe(NO3)3、KIO3和双氧水等。K3Fe(CN)6、Fe(NO3)3会引入Fe3+，KIO3会引入K+，形成离子沾污，影响器件性能，而且K3Fe(CN)6还有剧毒，这对应用于生产是非常不利的，并且会造成严重的环境污染。而本发明所用的氧化剂