低介电材料抛光液.docVIP

低介电材料抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

11#

12#

13#

14#

15#

掺铝二氧化硅（45nm）

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

酒石酸钾

0.1

－

1.5

1

2

1

1

1

1.5

1.5

1.5

－

－

1.5

1.5

酒石酸

－

1.5

－

－

－

－

－

－

－

－

－

1.5

1.5

－

－

5-氨基四氮唑（ATA）

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.1

0.5

1

0.1

0.1

0.1

0.1

苯基巯基四氮唑

－

－

－

－

－

－

－

0.2

0.4

－

－

－

－

－

－

H2O2

1

1

1

1

1

1.5

3

1

1

1

1

1

1

1

1

葡聚糖（分子量20000）

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.2

－

－

－

PEG200（聚乙二醇）

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.2

－

－

EAB-30（甜菜碱两性表面活性剂）

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.2

－

十二烷基三甲基溴化铵

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.2

制备方法将各组分混合均匀即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料2~20、速率增助剂0.1~3、氧化剂1~3、缓蚀剂0.005~3。

所述磨料可为本领域常用的磨料，较佳的为掺铝二氧化硅或二氧化硅，其粒径较佳的为5~200nm，更佳的为10~100nm。

所述的速率增助剂含有羧基基团，但不包括氨基酸类化合物，较佳的为有机酸或有机酸盐，其中更优选酒石酸或酒石酸钾。所述的速率增助剂能够增加阻挡层，同时有效提高低介电材料和金属铜的抛光速率。

所述的缓蚀剂为除苯并三氮唑以外的缓蚀剂，较佳的选自下列中的一个或多个：5-氨基四氮唑（ATA）、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑。

所述的氧化剂为非铁型的氧化剂，例如双氧水，氧化剂采用质量份1~3时，更能显著提高Ta和CDO的抛光速率，同时保持金属铜的抛光速率基本不变，因此能够控制Ta和CDO与铜之间的选择比。

所述的抛光液的pH值较佳的为10~12。

本品中，所述的抛光液还可进一步含有表面活性剂。所述的表面活性剂可为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和两性离子表面活性剂。这些表面活性剂能够对Ta、CDO、TEOS和Cu的抛光速率作进一步的调整和控制。

产品应用本品主要应用于低介电材料的抛光。

产品特性

（1）本品的碱性抛光液对CDO和Ta有较高的抛光速率。其中主要有效成分为含有梭基基团的非氨基酸类的速率增助剂（如有机酸或有机酸盐），以及较高量的非铁型的氧化剂。

（3）采用除苯并三氮唑以外的缓蚀剂（如5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和苯基巯基四氮唑），与苯并三氮唑相比，具有更好的缓蚀效果，且使得该抛光液的Cu抛光速率较高且可调，可对晶片在前序制备过程中的缺陷有较强的修复作用。

参考文献中国专利公告CN－200710036674.7