化学机械抛光液47.docVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.9千字
  • 约 2页
  • 2026-01-23 发布于河北
  • 举报

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

11#

12#

研磨剂

硅溶胶

1

1

1

1

1

1

1

气相二氧化硅

0.1

0.1

0.1

氧化铝

10

6

组分1

硝酸银

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.1

0.15

0.3

硫酸银

0.2

0.05

0.2

组分2

硫酸锰

0.01

0.02

0.1

0.5

硫酸铵

0.1

0.1

硫酸钾

0.5

0.005

硫酸锌

0.5

氧化剂

双氧水

2

2

2

2

2

2

2

0.1

3

4

1

2

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

续上表

原料

配比(质量份)

13#

14#

15#

16#

17#

18#

19#

20#

21#

22#

23#

24#

研磨剂

氧化铝

4

氧化铈

2

2

2

硅溶胶

1

1

1

气相二氧化硅

1.3

1.3

1.3

1.3

1.3

组分1

硝酸银

0.2

0.2

0.3

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

硫酸银

0.2

氟化银

0.2

高氯酸银

0.2

组分2

硫酸锰

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

硫酸铵

0.1

0.5

0.5

0.2

0.2

硫酸钾

0.3

抑制剂

EDTMP

0.005

0.01

0.05

氧化剂

双氧水

2

2

5

1

2

2

2

2

2

2

过硫酸铵

5

单过硫酸氢钾

2

去离子水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分在去离子水中混合均匀,用PH调节剂调到所需的PH值,即可制得抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:研磨剂0.1~10、激发剂0.05~0.3、氧化剂0.1~5、抑制剂0.005~0.05、水余量。

所述的研磨剂为气相二氧化硅、硅溶胶、氧化铝和/或氧化铈中的一种或多种。

所述的激发剂为由银离子和氧化剂组成的组合物。所述的银离子来自于银盐。所述银盐为氟化银、高氯酸银、硫酸银和/或硝酸银。

所述的氧化剂为过氧化物。所述的过氧化物为过氧化氢、过硫酸铵和/或单过硫酸钾中的一种或多种。

本品中,所述的强氧化剂前体(precursor)为非硝酸根阴离子。所述的非硝酸根阴离子为硫酸根离子。所述的硫酸根离子来自于硫酸盐。所述的硫酸盐为非金属硫酸盐或金属硫酸盐。所述的非金属硫酸盐为硫酸铵,所述的金属硫酸盐为硫酸锰、硫酸钾和/或硫酸锌中的一种或多种。

本品中,所述的抛光液还含有静态腐蚀速度(staticetchrate)抑制剂。所述的静态腐蚀速度抑制剂为有机膦化合物。所述的有机膦化合物为乙二胺四甲叉膦酸(EDTMP)。

所述的抛光液还含有pH调节剂。所述的抛光液的pH值为0.5~5。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

(1)显著提高了钨的抛光速度,提高了生产效率,降低制造成本。

(2)在不加入过氧化氢稳定剂的情况下,过氧化氢仍能非常稳定地存在于抛光液中。解决了过氧化氢快速分解的问题,延长了抛光液的使用时限,保证了抛光速度的稳定,从而进一步节约成本。

(3)本品的化学机械抛光方法,可以不含有机物(稳定剂,诸如有机酸等)。因此,降低了抛光废液中有机物的含量(COD排放量),有利于环保。

(4)本品的化学机械抛光方法中,使用的化学机械抛光液具有更宽的pH调节范围,可以通过升高pH值来降低对设备的腐蚀,应用于更广的CMP领域。

参考文献中国专利公告CN-201010238420.5

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档