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- 2026-01-23 发布于河北
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化学机械抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
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研磨剂
硅溶胶
1
1
1
1
1
1
1
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气相二氧化硅
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0.1
0.1
0.1
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-
氧化铝
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-
-
-
10
6
组分1
硝酸银
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
-
0.1
0.15
-
0.3
硫酸银
-
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-
0.2
0.05
-
-
0.2
-
组分2
硫酸锰
0.01
0.02
0.1
-
-
0.5
-
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-
硫酸铵
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0.1
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0.1
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硫酸钾
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0.5
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0.005
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-
硫酸锌
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-
0.5
氧化剂
双氧水
2
2
2
2
2
2
2
0.1
3
4
1
2
去离子水
余量
余量
余量
余量
余量
余量
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余量
余量
余量
余量
余量
续上表
原料
配比(质量份)
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研磨剂
氧化铝
4
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氧化铈
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硅溶胶
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1
1
气相二氧化硅
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-
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
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-
组分1
硝酸银
0.2
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0.2
0.3
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
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硫酸银
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0.2
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氟化银
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0.2
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高氯酸银
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0.2
组分2
硫酸锰
-
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-
-
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
硫酸铵
0.1
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-
0.5
0.5
-
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0.2
0.2
硫酸钾
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抑制剂
EDTMP
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0.005
0.01
0.05
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氧化剂
双氧水
2
2
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1
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2
2
2
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过硫酸铵
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单过硫酸氢钾
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2
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去离子水
余量
余量
余量
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余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
制备方法将各组分在去离子水中混合均匀,用PH调节剂调到所需的PH值,即可制得抛光液。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为:研磨剂0.1~10、激发剂0.05~0.3、氧化剂0.1~5、抑制剂0.005~0.05、水余量。
所述的研磨剂为气相二氧化硅、硅溶胶、氧化铝和/或氧化铈中的一种或多种。
所述的激发剂为由银离子和氧化剂组成的组合物。所述的银离子来自于银盐。所述银盐为氟化银、高氯酸银、硫酸银和/或硝酸银。
所述的氧化剂为过氧化物。所述的过氧化物为过氧化氢、过硫酸铵和/或单过硫酸钾中的一种或多种。
本品中,所述的强氧化剂前体(precursor)为非硝酸根阴离子。所述的非硝酸根阴离子为硫酸根离子。所述的硫酸根离子来自于硫酸盐。所述的硫酸盐为非金属硫酸盐或金属硫酸盐。所述的非金属硫酸盐为硫酸铵,所述的金属硫酸盐为硫酸锰、硫酸钾和/或硫酸锌中的一种或多种。
本品中,所述的抛光液还含有静态腐蚀速度(staticetchrate)抑制剂。所述的静态腐蚀速度抑制剂为有机膦化合物。所述的有机膦化合物为乙二胺四甲叉膦酸(EDTMP)。
所述的抛光液还含有pH调节剂。所述的抛光液的pH值为0.5~5。
产品应用本品主要用作化学机械抛光液。
产品特性
(1)显著提高了钨的抛光速度,提高了生产效率,降低制造成本。
(2)在不加入过氧化氢稳定剂的情况下,过氧化氢仍能非常稳定地存在于抛光液中。解决了过氧化氢快速分解的问题,延长了抛光液的使用时限,保证了抛光速度的稳定,从而进一步节约成本。
(3)本品的化学机械抛光方法,可以不含有机物(稳定剂,诸如有机酸等)。因此,降低了抛光废液中有机物的含量(COD排放量),有利于环保。
(4)本品的化学机械抛光方法中,使用的化学机械抛光液具有更宽的pH调节范围,可以通过升高pH值来降低对设备的腐蚀,应用于更广的CMP领域。
参考文献中国专利公告CN-201010238420.5
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