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- 2026-01-23 发布于河北
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多晶硅抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
2#
3#
4#
5#
6#
7#
8#
研磨颗粒
Al2O3
0.1
-
-
-
-
-
-
-
CeO2
-
10
-
-
-
-
-
-
SiO2
-
-
10
10
-
-
-
-
ZrO2
-
-
-
-
15
-
-
-
SiC
-
-
-
-
-
30
-
-
聚四氟乙烯
-
-
-
-
-
-
10
-
聚苯乙烯
-
-
-
-
-
-
-
10
含有-(RO)-或-(RCOO)-基团的聚合物
C11H23C7H11O6(C2H4O)
0.0001
-
-
-
-
-
-
-
C2H5O(C2H4O)1000H
-
0.3
-
-
-
-
-
-
C2H5O(CH2O)1000H
-
-
0.1
-
-
-
-
C2H5O(C10H20O)1000H
-
-
-
0.1
-
-
-
-
C2H5COO(C2H4O)10H
-
-
-
-
5
-
-
-
C3H7COO(C2H4O)100OC2H5
-
-
-
-
-
0.5
-
-
HO(C2H4O)100H
-
-
-
-
-
-
0.2
-
C2H5C6H4O(C2H4O)80
-
-
-
-
-
-
-
0.2
络合剂
EDTA
-
0.0001
-
-
-
-
-
-
续上表
原料
配比(质量份)
9#
10#
11#
12#
13#
14#
15#
16#
研磨颗粒
SiO2
10
10
10
3
5
3
5
1
含有-(RO)-或-(RCOO)-基团的聚合物
CH3CONHCH2(C2H4O)98OCH2CH2OH
0.01
-
-
-
-
-
-
-
CH3-N(CH2CH2(C2H4O)68CH2CH2OH)2
-
0.02
0.02
-
-
-
-
-
C11H23C7H11O6(C2H4O)20
-
-
0.001
-
-
-
-
-
C2H5O(C2H4O)50H
-
-
0.002
-
-
-
-
-
C3H7COO(C2H4O)50OC2H5
-
-
0.003
-
-
-
-
-
HO(C2H4O)80H
-
-
0.005
-
-
-
-
-
C2H5C6H4O(C2H4O)80
-
-
0.006
-
-
-
-
-
CH3CONHCH2(C2H4O)98OCH2CH2OH
-
-
0.0005
-
-
-
-
-
CH3-N(CH2CH2(C2H4O)48CH2CH2OH)2
-
-
0.002
-
-
-
-
-
C17H35C7H11O6(C2H4O)
-
-
-
0.1
-
-
-
-
C17H35C7H11O6(C2H4O)
-
-
-
-
0.01
-
-
-
C6H9O2(C2H4O)20(CH3COO)3
-
-
-
-
-
0.01
-
-
C6H9O2(C2H4O)20(C5H11COO)3
-
-
-
-
-
-
0.03
-
C6H9O2(C2H4O)20(C10H21COO)3
-
-
-
-
-
-
-
0.02
络合剂
EDTA
-
-
0.0001
-
-
-
-
-
制备方法将各组分简单混合均匀即可。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为:研磨颗粒0.1~30、聚合物0.0001~5、络合剂0.0001。
所述研磨颗粒较佳的选自下列七种中的一个或多个:二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化锆、碳化硅、聚四氟乙烯(PTFE)和聚苯乙烯。
所述聚合物较佳的为聚氧乙烯型非离子表面活性剂。所述的聚氧乙烯型非离子表面活性剂较佳的为长链脂肪醇聚氧乙烯醚R1O(C2H4O)nH,脂肪酸聚氧乙烯酯R1COO(C2H4O)nH、R1COO(C2H4O)nOCR1或HO(C2H4O)nH,烷基酚聚氧乙烯醚R1C6H4O(C2H4O)nH,聚乙氧烯烷基醇酰胺R1CONHCH2(C2H4O)n-2OCH2CH2OH,聚氧乙烯烷基胺R1-N(CH2CH2O(C2H4O)n-2CH2CH2OH)2或吐温R1C7H11O6(C2H4O)x+y+z,其中R1为烃基,n为10~1000的整数,x,y,z为10
所述抛光液还可包含PH调节剂或络合剂。
产品应用本品主要应用于多晶硅抛光。
本品的应用中,抛光时,抛光头的压力范围较佳的为1~5psi;抛光头的转速范围较佳的为10~150rpm;抛光垫的转速范围较佳的为10~150rpm。
产品特性本品首次提供了重复单元中含有-(RO)-或-(RCOO)-基团(其中R为碳原子数为1~10的烷基)的聚合物在可实现自停止机制的多晶硅化学机械抛光液的制备及其使用中的新用途。此新用途,与现有技术相比,更好的解决了现有多晶硅抛光过程中二氧化硅沟道中多晶硅碟形凹损缺陷的发生,二氧化硅碟形凹损中的多晶硅残留的问题。此新用途,可通过
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