CN113539337B 半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113539337B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202011095837.0

(22)申请日2020.10.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113539337A

(43)申请公布日2021.10.22

(30)优先权数据

10-2020-00475652020.04.20KR

(73)专利权人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人金钟旭

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

专利代理师董莘

(51)Int.CI.

G11C16/14(2006.01)

(56)对比文件

CN103811066A,2014.05.21CN103890724A,2014.06.25审查员余泽慧

权利要求书4页说明书17页附图12页

(54)发明名称

开始接收测试命令执行测试编程操作

开始

接收测试命令

执行测试编程操作S520

施加测试擦除电压S530

检测异常存储器单元540

850

检测到的存储器单元的数目设定数目

将对应存储器块登记为坏块

结束

S570将对应存储器块

登记为正常块

S560

CN113539337B(57)摘要本技术涉及一种半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括：包括存储器单元的存储器块；外围电路，被配置为在测试操作期间在设定编程状态中对存储器单元进行编程，并且对在设定编程状态中被编程的存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路对存储器单

CN113539337B

(57)摘要

CN113539337B权利要求书1/4页

2

1.一种半导体存储器设备，包括：

存储器块，包括存储器单元；

外围电路，被配置为在测试操作期间将所述存储器单元编程至设定编程状态，并且对被编程至所述设定编程状态的所述存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及

控制逻辑，被配置为控制所述外围电路对在所述存储器单元之中的、阈值电压低于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数，

其中所述测试擦除电压是低于在正常擦除操作期间所使用的正常擦除电压的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线，或者将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的所述源极线和位线。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将测试擦除电压施加到源极线或者所述源极线和位线，并且在所述测试擦除电压等于正常擦除电压之前，停止所述测试擦除电压的增大。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将擦除电压施加到所述存储器块的源极线，并且将大于接地电压的电压施加到所述存储器块的字线。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述外围电路重复地执行所述测试擦除电压施加操作达设定次数。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述设定阈值电压等于或小于所述设定编程状态的最低阈值电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中当所计数的所述异常存储器单元的数目大于设定数目时，所述控制逻辑将所述存储器块确定为坏块。

8.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法包括：

在设定编程状态中对存储器块进行编程；

将测试擦除电压施加到在所述设定编程状态中被编程的所述存储器块达设定次数；

对在所述存储器块中所包括的存储器单元之中的、阈值电压小于所述设定编程状态的最低阈值电压的存储器单元进行计数；以及

当所计数的存储器单元的数目大于设定数目时，将所述存储器块确定为坏块，

其中所述测试擦除电压是小于在正常擦除操作期间所使用的正常擦除电压的电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中施加所述测试擦除电压包括：将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线，或者将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的所述源极线和位线。

10.根据权利要求8所述的方法，其中施加所述测试擦除电压包括：将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线或者所述存储器块的所述源极线和位线，并且在所述测试擦除电压等于正常擦除电压之前，停止所