N-通道功率沟槽MOSFET特性与应用.pdf

2012年7月

FDB9403_F085

N‑通道功率沟槽®MOSFET

40V,110A,1.2m

DD

特性

◼典型rDS(on)=1m在VGS=10V,ID

=80A典型Qg(总)=164nC在VGS=1

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