CN119286600A 用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法 （恩特格里斯公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119286600A(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411401564.6

(22)申请日2018.01.17

(30)优先权数据

62/447,7292017.01.18US

(62)分案原申请数据

201880007539.62018.01.17

(71)申请人恩特格里斯公司地址美国马萨诸塞州

(72)发明人D·怀特T·帕尔松M·怀特

E·I·库珀A·达斯

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师李婷

(51)Int.CI.

C11D7/26(2006.01)

C11D

C11D

7/10(2006.01)

7/32(2006.01)

权利要求书1页说明书12页

(54)发明名称

用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方

法

(57)摘要

CN119286900A本申请涉及用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法。本发明涉及一种去除组合物和工艺，其用于从上面具有化学机械抛光CMP后污染物和氧化铈粒子的微电子装置清洁所述粒子和污染物。所述组合物实现所述氧化铈粒子和CMP污染物材料从所述微电子装置的表面的高度有

CN119286900A

CN119286600A权利要求书1/1页

2

1.一种用于在化学机械抛光CMP后去除微电子装置表面的氧化铈粒子的水性去除组合物，所述水性去除组合物包括至少一种pH调节剂、至少一种还原剂、至少一种有机添加剂、水和至少一种氧清除剂，其中所述水性去除组合物包含小于0.001wt.%的表面活性剂，

其中所述至少一种有机添加剂和所述至少一种还原剂为以从0.1:1至5:1的重量百分比比率存在，以及

其中所述至少一种有机添加剂是2-吡咯烷酮、1-(2-羟基乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、四甘二甲醚、二甘二甲醚、甲基异丁基酮、甲基乙基酮、丙酮、异丙醇、辛醇、乙醇、丁醇、甲醇、异佛尔酮、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚(DEGBE)、三乙二醇单丁醚(TEGBE)、乙二醇单己醚(EGHE)、二乙二醇单己醚(DEGHE)、乙二醇苯基醚、二乙二醇苯基醚、4-甲基-2-戊酮、2,4-二甲基-3-戊酮、环己酮、5-甲基-3-庚酮、3-戊酮、5-羟基-2-戊酮、2,5-己烷二酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、丙酮、丁酮、2-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、4-羟基-2-丁酮、环戊酮、2-戊酮、3-戊酮、1-苯基乙酮、苯乙酮、二苯甲酮、2-己酮、3-己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、2-辛酮、3-辛酮、4-辛酮、二环己基酮、2,6-二甲基环己酮、2-乙酰基环己酮、2,4-戊二酮、薄荷酮或其组合，

其中所述水性去除组合物的pH值为4至6。

2.根据权利要求1所述的水性去除组合物，进一步包括至少一种用于络合金属原子或金属离子的络合剂。

3.根据权利要求1或2所述的水性去除组合物，进一步包括至少一种聚合物。

CN119286600A说明书1/12页

3

用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法

[0001]分案申请的相关信息

[0002]本申请是申请日为2018年1月17日、申请号为201880007539.6、发明名称为“用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法”的发明专利申请的分案申请。

[0003]相关申请案

[0004]本申请案主张于2017年1月18日提出申请的美国临时申请案第62/447,729号的权益，所述申请案的整个揭示内容的全文都以引用方式并入本文中。

技术领域

[0005]本发明大概来说涉及用于从上面具有氧化铈粒子和其它化学机械抛光浆液污染物的微电子装置去除所述粒子和污染物的组合物。

背景技术

[0006]微电子装置晶片用于形成集成电路。微电子装置晶片包含衬底，例如硅，多个区域图案化到所述衬底中以沉积具有绝缘、导电或半导电性质的不同材料。

[0007]为获得正确的图案化，必须去除用于在衬底上形成各层的过量材料。此外，为制造有功能且可靠的电路，在