CN119947278A 一种辐射探测器及其制作方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119947278A(43)申请公布日2025.05.06

(21)申请号202411864429.5

(22)申请日2024.12.17

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人羊群思宋立辉皮孝东杨德仁

熊慧凡

(74)专利代理机构杭州华进联浙知识产权代理

有限公司33250专利代理师唐诗卉

(51)Int.CI.

H10F30/29(2025.01)

H10F77/14(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书1页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种辐射探测器及其制作方法

(57)摘要

CN119947278A本发明涉及一种辐射探测器及其制作方法，所述辐射探测器包括：半导体衬底，所述半导体衬底背面为p型掺杂；位于所述半导体衬底正面且与所述半导体衬底同心设置的n型掺杂区，环绕所述n型掺杂区还同心设置有多个环形凹槽，所述多个环形凹槽的深度由内向外依次增加，且所述凹槽区域为p型掺杂，所述半导体衬底背面和凹槽区域构成p型掺杂区；覆盖在所述p型掺杂区表面的阴极；覆盖在所述n型掺杂区表面的阳极。所述凹槽的设置能够在不增加n型掺杂区的面积，即不增加探测器电容的基础上增加辐射吸

CN119947278A

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CN119947278A权利要求书1/1页

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1.一种辐射探测器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底背面为p型掺杂；

位于所述半导体衬底正面且与所述半导体衬底同心设置的n型掺杂区，环绕所述n型掺杂区还同心设置有多个环形凹槽，所述多个环形凹槽的深度由内向外依次增加，且凹槽区域为p型掺杂，所述半导体衬底背面和凹槽区域构成p型掺杂区；

覆盖在所述p型掺杂区表面的阴极；

覆盖在所述n型掺杂区表面的阳极。

2.根据权利要求1所述辐射探测器，其特征在于，所述多个环形凹槽的深度由内向外依次线性增加。

3.根据权利要求1所述辐射探测器，其特征在于，所述多个环形凹槽等间距分布。

4.根据权利要求1所述辐射探测器，其特征在于，所述多个环形凹槽的间距由内向外依次线性变化。

5.根据权利要求1所述辐射探测器，其特征在于，所述半导体衬底侧面为p型掺杂。

6.根据权利要求1所述辐射探测器，其特征在于，还包括位于所述衬底非掺杂区域表面的钝化层。

7.一种辐射探测器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底正面形成多个同心环形凹槽，多个环形凹槽的深度由内向外依次增

加；

对预设的n型掺杂区域进行n型掺杂，形成n型掺杂区；

对所述半导体衬底背面和环形凹槽区域进行p型掺杂，形成p型掺杂区；

在所述n型掺杂区表面形成阳极，在所述p型掺杂区表面形成阴极。

8.根据权利要求7所述辐射探测器的制作方法，其特征在于，在所述衬底非掺杂区域表面形成钝化层。

9.根据权利要求7所述辐射探测器的制作方法，其特征在于，还包括在所述半导体衬底侧面进行p型掺杂。

10.根据权利要求7所述辐射探测器的制作方法，其特征在于，还包括在辐射探测器表面形成保护层。

CN119947278A说明书1/7页

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一种辐射探测器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及辐射探测技术领域，特别是涉及一种辐射探测器及其制作方法。

背景技术

[0002]辐射探测器是核探测技术的基础和核心，其技术演化经历了由计数，测谱，到图像显示的发展历程。诸如气体电离探测器、闪烁体探测器这类传统辐射探测器等。但这类传统辐射探测器，其探测能力已经不能满足现代高能物理、核医学、深空探测等科学研究领域对探测技术更高探测效率，更快探测时间和更高能量分辨率的需求。

[0003]近几十年，得益于半导体技术的迅猛发展，半导体辐射探测器以其更高的探测效率、更好的线性度，更快的响应速度和更高的能量分辨率等优异性能在核探测的应用中越来越广泛。

[0004]目前，半导体辐射探测器的常见结构包括光电导型、肖特基型和pin型等器件结构。在这些器件内部的结势垒附近，存在一个排空自由载流子的耗尽区。由于耗尽区中只有固定不动的施主或受主杂质离子，因此