CN119947389A 一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119947389A(43)申请公布日2025.05.06

(21)申请号202510074868.4

(22)申请日2025.01.17

(71)申请人南京邮电大学

H10K71/15(2023.01)H10K10/82(2023.01)C23C14/16(2006.01)

C23C14/24(2006.01)

地址226000江苏省南通市港闸区新康路

33号云院9、10幢

申请人南京邮电大学南通研究院有限公司

(72)发明人张珺刘焘榕赵子强敬傲伟杨袁常恒典林昊南郭宇锋姚佳飞陈静杨可萌张茂林

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师姜梦翔(51Int.CL.

H10K10/29(2023.01)

H10K71/12(2023.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种双向导通的纵向结构二极管及其制作

方法

(57)摘要

CN119947389A3本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种双向导通的纵向结构二极管及其制备方法，本发明提供的二极管具备阳极、阴极和有机-无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT-TT溶液涂覆形成的DPPT-TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入101?(cm?3)磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片。通过引入新的隧道复合电流模式，增强了电荷输运能力。这种新型的异质结结构有效改善了载流子在电极处的注入和传输过程，显著降低了接触电阻。这种电极修饰方案不仅可以提

CN119947389A

3

CN119947389A权利要求书1/1页

2

1.一种双向导通的纵向结构二极管，具备：阳极、阴极和有机-无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT-TT溶液涂覆形成的DPPT-TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入10?1?(cm?3)磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片。

2.如权利要求1所述的双向导通的纵向结构二极管，其特征在于，所述DPPT-TT溶液的溶质为DCB且DPPT-TT/DCB溶液中DPPT-TT的浓度范围为1～15mg/ml。

3.权利要求2所述双向导通的纵向结构二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：将所述高掺杂硅片超声清洗后，粘贴用于旋涂掩模的胶带，将DPPT-TT/DCB溶液旋涂至表面制备形成有机半导体层，然后在80℃下加热5min,之后在150℃下退火1h;撕开胶带去除中间区域的DPPT-TT材料后，在此中间区域黏附铟片，即将铟片直接黏附在中间区域的高掺杂硅片上；在所述有机半导体层上制作阳极。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述DPPT-TT/DCB溶液中DPPT-TT的浓度为5mg/ml。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述DPPT-TT/DCB溶液的旋涂参数设置如下：旋涂的初速度为0rpm,以200rpm/s的加速度加速到500rpm,此阶段的加速和匀速时间一共持续10s;然后以500rpm/s的加速度加速到1500rpm,此阶段的加速和匀速时间一共持续60s;之后以500rpm/s的加速度减速至Orpm,此阶段的减速和停止时间一共持续5s。

6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述阳极的制作方法为蒸镀或者磁控溅射。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述采用蒸镀的方式制作阳极，制作步骤包括：先以0.1A/s的速度蒸镀5nm的金属Cu,之后以0.5A/s的速度蒸镀70nm的金属Cu,接最后以0.1A/s的速度蒸镀5nm的金属Cu,最终蒸镀形成厚度为80nm金属Cu阳极。

CN119947389A说明书1/6页

3

一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法。

背景技术

[0002]双向二极管