CN119835986A 一种晶体管、其制作方法及电子器件 （北京纳米能源与系统研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835986A(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411976393.X

(22)申请日2024.12.30

H10D30/01(2025.01)

(71)申请人北京纳米能源与系统研究所

地址101400北京市怀柔区雁栖经济开发

区杨雁东一路8号

(72)发明人张冀周翟俊宜胡卫国许特王江文杨震李秋锐田时代

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

专利代理师刘彩红

(51)Int.CI.

H10D64/23(2025.01)

H10D64/62(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图8页

(54)发明名称

一种晶体管、其制作方法及电子器件

(57)摘要

CN119835986A本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，电极的制作材料包括钛合金和金合金，导电穿透部穿过势垒层，且分别与电极和沟道层内的二维电子气直接连接，实现了电极与二维电子气的直接接触，在电极与二维电子气的接触为

CN119835986A

CN119835986A权利要求书1/1页

2

1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底、以及依次层叠设于所述衬底之上的沟道层、势垒层；

所述晶体管还包括：设于所述势垒层背离所述沟道层一侧的电极，所述电极包括源极和漏极中的至少一个，所述电极的制作材料包括：钛合金和金合金；

所述晶体管还包括导电穿透部，所述导电穿透部穿过所述势垒层且分别与所述电极和所述沟道层内的二维电子气直接连接。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述钛合金包括：钛镁合金、钛锡合金、钛镁钽合金、钛镁钒合金、钛锡钽合金、钛锡钒合金中的至少一种。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述钛合金包括钛铝合金，所述钛合金还包括钛铝钽合金、钛铝钒合金中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述金合金为所述钛合金中除钛之外的至少部分元素与金元素形成的合金。

5.如权利要求1-4任一项所述的晶体管，其特征在于，所述电极与所述二维电子气之间的接触电阻不大于0.15Qmm。

6.如权利要求1-5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述导电穿透部中包括氮化钛。

7.如权利要求1-6任一项所述的晶体管，其特征在于，所述导电穿透部包括第三合金，所述第三合金呈网状结构。

8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述第三合金为所述钛合金中除钛之外的至少部分元素与金元素形成的合金。

9.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底之上依次层叠形成沟道层和势垒层；

采用镀膜技术，在所述势垒层之上依次层叠形成钛合金层和金层；

对形成所述钛合金层和所述金层的衬底进行热处理，形成导电穿透部和电极，所述导电穿透部穿过所述势垒层且分别与所述电极和所述沟道层内的二维电子气直接连接；所述电极的制作材料包括：由所述钛合金层中的钛合金和所述金层中的金形成的钛合金和金合金。

10.一种电子器件，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的晶体管。

CN119835986A说明书1/6页

3

一种晶体管、其制作方法及电子器件

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤指一种晶体管、其制作方法及电子器件。

背景技术

[0002]相较于以硅基材料形成沟道的晶体管，以GaN材料形成沟道的晶体管，展现出了更大的禁带宽度、更高的热导率及更低的导通电阻，能够用于制备能量损耗更低、可靠性更佳的器件。质量越好的源/漏极，欧姆接触时接触电阻越低，使得器件的工作效率和输出功率越高，因此，如何降低欧姆接触时的接触电阻，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

[0003]本发明实施例提供了一种晶体管、其制作方法及电子器件，用以降低欧姆接触时的接触电阻。

[0004]第一方面，本发明实施例提供了一种晶体管，包括：衬底、以及依次层叠设于衬底之上的沟道层、势垒层；

[0005]晶体管还包括：设于势垒层背离沟道层一侧的电极，电极包括源极和漏极中