CN119340223A 一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构及其制作方法 （中国电子产品可靠性与环境试验研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119340223A(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411885232.X

(22)申请日2024.12.20

(71)申请人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

地址511370广东省广州市增城区朱村街

朱村大道西78号

(72)发明人付志伟徐海郑冰洁颜佳辉

路国光

(74)专利代理机构北京市隆安律师事务所

11323

专利代理师付建军

(51)Int.CI.

H01L21/60(2006.01)

HO1L23/488(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构及其制

作方法

(57)摘要

CN119340223A本发明公开了一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构及其制作方法，所述方法包括：在晶圆表面沉积金属种子层；在种子层上旋涂光刻胶；进行第一次光刻，将光刻胶图案化形成第一图形；在第一图形区域内生长铜，形成所需高度的铜柱；在铜柱表面生长金属阻挡层，形成所需高度的金属阻挡层；在金属阻挡层表面生长焊料，形成所需高度的焊料；在焊料上旋涂光刻胶；进行第二次光刻，将光刻胶图案化形成第二图形；在铜柱侧面生长金属保护层，形成与阻挡层同等高度的金属保护层；清洗去除光刻胶；蚀刻金属种子层，将金属种子层图案化，形成所需的图形；高温加热使焊料熔化形成光滑凸点后冷却固化。本

CN119340223A

在品断表面沉积金属种子层

在品断表面沉积金属种子层

在金属种子层上第一次旋涂光刻胶

进行第一次光刻。将光刻胶图案化形成固形的第一图形，所述国形的半径对应于所需铜柱的半径

在第一图形的区域内生长铜，形成所需高度的铜柱

在阴柱表面生长金属阻挡层，形成所需高度的金属阻挡层

在金属阻挡层表面生长焊料，形成所需高度的焊料

在金属种子层上二次旋涂光刻胶，旋涂高度超过焊料的高度

进行第二次光刻。将光刻胶图案化形成环形的第二图形，所迷环形的宽度对应于所需的金属保护层的厚度

在图柱图生长合属保护层，形成与金属挡层同等

清洗去除光刻胶

对金属种子层进行蚀刻，保留铜柱下方的金属种子层

高温加热使焊料熔化，形成光滑凸点后冷却固化

510

CN119340223A权利要求书1/1页

2

1.一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圆表面沉积金属种子层；

在金属种子层上第一次旋涂光刻胶；

进行第一次光刻，将光刻胶图案化形成圆形的第一图形，所述圆形的半径对应于所需铜柱的半径；

在第一图形的区域内生长铜，形成所需高度的铜柱；

在铜柱表面生长金属阻挡层，形成所需高度的金属阻挡层；

在金属阻挡层表面生长焊料，形成所需高度的焊料；

在金属种子层上二次旋涂光刻胶，旋涂高度超过焊料的高度；

进行第二次光刻，将光刻胶图案化形成环形的第二图形，所述环形的宽度对应于所需的金属保护层的厚度；

在铜柱侧面生长金属保护层，形成与金属阻挡层同等高度的金属保护层；

清洗去除光刻胶；

对金属种子层进行蚀刻，保留铜柱下方的金属种子层；

高温加热使焊料熔化，形成光滑凸点后冷却固化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，金属种子层的材料包括Ti、Cu和Cr,金属阻挡层的材料包括Ni、Ta、Ti和Pd,焊料包括Sn基无铅和有铅焊料。

3.一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构，其特征在于，利用权利要求1或2所述的方法制作得到，包括晶圆上的金属种子层、铜柱、金属阻挡层、金属保护层和焊料。

CN119340223A说明书1/4页

3

一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于芯片制造技术领域，具体涉及一种防止侧向腐蚀的铜柱凸点结构及其制作方法。

背景技术

[0002]铜柱凸点互连是一种晶圆级先进封装技术，具有细节距、微尺寸、超高I/0密度等优点，可适用于覆晶封装上硅芯片与基板的直接连接。目前，随着芯片高密度封装的需求持续增长，基于铜柱凸点的互连节距不断缩小，其在高温、电流等应力条件下的服役可靠性引发行业的广泛关注。

[0003]现阶段，铜柱凸点制造过程常会