CN119834053A 一种电注入锗锡激光器芯片及其制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119834053A(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411983543.X

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市广州开发区开

源大道136号A栋

(72)发明人苗渊浩亨利·H·阿达姆松

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202

专利代理师杨攀

(51)Int.CI.

HO1S5/028(2006.01)

H01S5/02345(2021.01)

H01S5/20(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种电注入锗锡激光器芯片及其制作方法

CN

CN119834053A

(57)摘要

本申请属于激光器技术领域，公开了一种电注入锗锡激光器芯片及其制作方法。该激光器芯片包括提供—GOI晶圆；在GOI晶圆的表面形成外延结构，外延结构包括在GOI晶圆上依次叠设的第一电极层、锗锡有源层和第二电极层；在外延结构上刻蚀凹槽，以形成台面结构；在凹槽的侧壁上形成钝化层；在位于第一电极层的钝化层上形成第一开口，并在第一开口中形成底部电极；在位于第二电极层的钝化层形成第二开口，并在第二开口中形成顶部电极。本申请的激光器芯片可以降低界面处的阈值电流密度，增强激光器的光输出性能。

提供一GOI晶圆；

在GOI晶圆的表面形成外延结构，外廷结构包括在GDI晶圆上依次叠设的第一

电极层、储锡有源层和第二电极层；

S3

在外延结构上刻蚀凹槽，以形成台面结构；

S4

在台面结构的表面上形成钝化层；

在位于第一电极层的钝化层上形成第一开口，并在第一开口形成底部咆极；

在位于第二电极层的钝化层形成第二开口，并在第二开口形成顶部电极

S1

S2

S5

S6

CN119834053A权利要求书1/2页

2

1.一种电注入锗锡激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供—GOI晶圆；

在所述GOI晶圆的表面形成外延结构，所述外延结构包括在GOI晶圆上依次叠设的第一电极层、锗锡有源层和第二电极层；

在所述外延结构上刻蚀凹槽，以形成台面结构；

在所述台面结构的表面形成钝化层；

在位于第一电极层的钝化层上形成第一开口，并在所述第一开口形成底部电极；

在位于第二电极层的钝化层上形成第二开口，并在所述第二开口形成顶部电极。

2.根据权利要求1所述的电注入锗锡激光器芯片的制作方法，其特征在于，在所述GOI晶圆的表面形成外延结构，包括：

通过化学气相沉积法在所述GOI晶圆的表面上形成N型电极层；

通过化学气相沉积法在所述N型电极层的表面上形成锗锡有源层；

通过化学气相沉积法在所述锗锡有源层的表面上形成P型电极层。

3.根据权利要求1所述的电注入锗锡激光器芯片的制作方法，其特征在于，在所述GOI晶圆的表面形成外延结构，包括：

通过化学气相沉积法在所述GOI晶圆的表面上形成P型电极层；

通过化学气相沉积法在所述P型电极层的表面上形成锗锡有源层；

通过化学气相沉积法在所述锗锡有源层的表面上形成N型电极层。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的电注入锗锡激光器芯片的制作方法，其特征在于，锗锡有源层包括锗锡/锗量子阱或者锗锡/硅锗锡量子阱。

5.根据权利要求1所述的电注入锗锡激光器芯片的制作方法，其特征在于，在所述外延结构上刻蚀凹槽，以形成台面结构，包括：

通过干法刻蚀或者湿法蚀刻在外延结构上形成凹槽，所述凹槽位于第二电极层、有源层和部分第一电极层。

6.一种电注入锗锡激光器芯片，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为GOI晶圆；

第一电极层，位于所述GOI晶圆的表面上，所述第一电极层为P型电极层或N型电极层；

锗锡有源层，位于所述第一电极层的表面上；

第二电极层，位于所述锗锡有源层的表面上，所述第二电极层为P型电极层或N型电极层，第二电极层与第一电极层为不同的结构；

钝化层，在所述第一电极层、锗锡有源层和第二电极层设置有凹槽，所述钝化层覆盖所述凹槽和第二电极层的表面；

底部电极，位于所述第一电极层上；

顶部电极，位于所述第二电极层上。

7.根据权利要求6所述的电注入锗锡激光器芯片，其特征在于，锗锡有源层包括锗锡/锗量子阱或者锗锡/硅锗锡量子阱。

8.根据权利要求6所述的电注入