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- 2026-01-28 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119833238A(43)申请公布日2025.04.15
(21)申请号202510301415.0
(22)申请日2025.03.14
(71)申请人长飞光纤光缆股份有限公司
地址430074湖北省武汉市东湖高新技术
开发区光谷大道九号
申请人武汉长飞通用电缆有限公司
(72)发明人史文凯王念立邓瑞邱石
李申月
(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有限公司42267
专利代理师彭翠
(51)Int.CI.
H01B11/18(2006.01)
HO1B11/06(2006.01)
HO1B13/016(2006.01)
H01B
H01B
H01B
H01P
H01P
H01Q
13/14(2006.01)
13/22(2006.01) 7/02(2006.01)11/00(2006.01)3/06(2006.01)13/08(2006.01)
权利要求书1页说明书7页附图3页
(54)发明名称
一种低损耗射频同轴电缆及其制作方法
(57)摘要
CN119833238A2本发明属于无线通信领域,更具体地,涉及一种低损耗射频同轴电缆及其制作方法。通过对射频同轴电缆的内导体进行表面处理,提高了内导体与绝缘层的附着力,降低了传输损耗,提升了信号传输性能。内导体表面进行适度工艺处理后,既能改善接触性,又能避免信号反射和损耗增加。在满足绝缘附着力、驻波、绝缘耐压测试要求的前提下,对射频同轴电缆的内导体表面进行适度处理使其衰减指标整体相较于现有产品,在900MHz、1800MHz、2700MHz
CN119833238A
2
CN119833238A权利要求书1/1页
2
1.一种低损耗射频同轴电缆,其特征在于,包括由内而外同心嵌套的内导体、复合绝缘层、外导体和外护套;
所述复合绝缘层包括发泡树脂层和实心外皮层;其中,所述发泡树脂层与所述内导体直接接触,所述实心外皮层与所述外导体直接接触;
与所述发泡树脂层直接接触的内导体表面具有经过粗化处理而形成的微观粗糙结构,其粗糙度为0.5μm至5.0μm。
2.如权利要求1所述的射频同轴电缆,其特征在于,所述内导体表面粗糙度为1μm至3μ
m。
3.如权利要求1所述的射频同轴电缆,其特征在于,所述内导体表面粗化处理方法为激光粗化、化学蚀刻、机械打磨或电化学处理。
4.如权利要求1所述的射频同轴电缆,其特征在于,所述发泡树脂层的材料为发泡聚烯烃;所述发泡聚烯烃的发泡度为40%-85%;所述发泡树脂层的厚度为3mm-15mm。
5.如权利要求1所述的射频同轴电缆,其特征在于,所述实心外皮层为实心聚烯烃;所述实心外皮层的厚度为0.05mm~0.15mm。
6.用于制备如权利要求1至5任一项所述的射频同轴电缆的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)对内导体进行表面粗化处理,使其粗糙度控制在0.5μm至5.0μm范围内;
(2)在粗化处理后的内导体表面双层共挤制备所述发泡树脂层和所述实心外皮层;
(3)在所述实心外皮层外依次制备所述外导体和外护套。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述粗化处理具体为激光粗化、化学蚀刻、机械打磨或电化学处理。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,当采用激光粗化方式执行所述粗化处理时,激光功率为10W-400W,扫描速度为600mm/s-1200mm/s,扫描间距为0.05mm-0.12mm。
9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(2)具体为:将熔融的聚烯烃和发泡气体混合均匀形成气溶胶,将所述气溶胶和用于制备实心外皮层的熔融聚烯烃在所述粗化处理后的内导体表面进行双层共挤,形成所述发泡树脂层和包覆于所述发泡树脂层外侧的实心外皮层。
10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述内导体为经过预热处理后的内导体,其预热温度为80℃-120℃。
CN119833238A说明书1/7页
3
一种低损耗射频同轴电缆及其制作方法
技术领域
[0001]本发明属于无线通信领域,更具体地,涉及一种低损耗射频同轴电缆及其制作方
法。
背景技术
[
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