CN117976705A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117976705A

(43)申请公布日2024.05.03

(21)申请号202410020225.7

(22)申请日2019.10.30

(62)分案原申请数据

201911044101.82019.10.30

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人李凯霖李志成陈威任

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其

制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管

(high

electron

mobility

transistor,HEMT)

的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后

形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该

阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该

阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二

凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及

该第二凹槽内。

A

5

0

7

6

7

9

7

1

1

N

C

CN117976705A权利要求书1/1页

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

硬掩模，设于该阻障层上；

P型半导体层，设于该阻障层上，其中该P型半导体层包含：

第一部分，设于该阻障层上；以及

第二部分，设于该硬掩模上；

栅极电极，设于该P型半导体层上；以及

源极电极以及漏极电极，相邻于该栅极电极两侧设于该缓冲层上。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模环绕该P型半导体层以及该

栅极电极。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该P型半导体层下方。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一部分直接连接该第二部分。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓

(pGaN)。

2

2

CN117976705A说明书1/4页

高电子迁移率晶体管及其制作方法

[0001]本申请是中国发明专利申请(申请号：201911044101.8，申请日：2019年10月30日，

发明名称：高电子迁移率晶体管及其制作方法)的分案申请。

技术领域

[0002]本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

[0003]以氮化镓基材料(GaN‑based

materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电

子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模

数(elasticmodulus)、高压电与压阻系数(high

piezoelectric

and

piezoresistive

coefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率

开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动