CN118642017A 一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器及其制作方法 （山东科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118642017A

(43)申请公布日2024.09.13

(21)申请号202411116626.9

(22)申请日2024.08.15

(71)申请人山东科技大学

地址266590山东省青岛市黄岛区前湾港

路579号

(72)发明人张兆川

(74)专利代理机构青岛锦佳专利代理事务所

(普通合伙)37283

专利代理师黄钰

(51)Int.Cl.

G01R33/032(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器

及其制作方法

(57)摘要

本发明提供了一种磁性纳米棒倾斜光纤光

栅磁场传感器及其制作方法，涉及磁场传感器技

术领域。本发明的磁场传感器包括光纤、倾斜光

纤光栅、磁性纳米棒、封装管、反射器、光纤环形

器、光源和光谱解调器。本发明的磁场传感器利

用倾斜光纤光栅将纤芯模耦合为包层模，通过倏

逝场高灵敏度感应环境折射率变化，外部磁场调

制改变磁性纳米棒相对于光纤的姿态，进而带动

环境折射率高灵敏度变化，以此来测量外部磁

场，可实现全光纤磁场的高灵敏度、高分辨率测

量；具有体积小、重量轻、结构紧凑、成本低廉、灵

A敏度和分辨率高、稳定性强、适合全程监测的优

7点，可以大范围推广应用；本发明的制作方法，制

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2作工艺较简单，生产制作效率高，良品率较高。

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CN118642017A权利要求书1/1页

1.一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：包括光纤、倾斜光纤光栅、

磁性纳米棒、封装管、反射器、光纤环形器、光源和光谱解调器；

所述光纤的纤芯写制所述倾斜光纤光栅；

所述光纤的包层开设凹槽，所述凹槽内填充若干个磁性纳米棒，所述封装管包裹所述

凹槽；

所述光纤的前端设置所述反射器；

光纤环形器的第一端口连接所述光源，光纤环形器的第二端口连接所述光纤的后端，

光纤环形器的第三端口连接所述光谱解调器；

所述光源用于发射光并经光纤环形器传输至光纤的纤芯；

所述光纤环形器用于光路调节；

所述倾斜光纤光栅的包层模式波长与所述光源发射光的波长相同，所述倾斜光纤光栅

用于将光纤的纤芯传输的一部分光耦合到包层，产生倏逝场感应环境折射率变化；

所述反射器用于将光纤的纤芯传输的另一部分光反射传输至纤环形器及光谱解调器；

所述光谱解调器用于获得光的波长与强度。

2.根据权利要求1所述的一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：所述

磁性纳米棒通过分子间作用力附着于光纤的包层表面，在外部磁场强度增大时，所述磁性

纳米棒相对于光纤的姿态，由贴合姿态变为倾斜姿态甚至为直立姿态，所述磁性纳米棒相

对于光纤的姿态变化以带动环境折射率变化。

3.根据权利要求1或2所述的一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：

所述磁性纳米棒为纳米尺寸且由可磁化材料制成。

4.根据权利要求1或2所述的一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：

所述倾斜光纤光栅刻写于光敏光纤，具有折射率灵敏特性和后向耦合的包层模。

5.根据权利要求1或2所述的一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：

所述光源发射光波长中心为1550nm，所述倾斜光纤光栅的包层模式波长中心为1550nm。

6.根据权利要求1或2所述的一种磁性纳米棒倾斜光纤光栅磁场传感器，其特征在于：

所述反射器为通过磁控溅射方式镀膜在所述光纤前端面的金反射膜。

7.根据权利要求6所述的一种磁性纳米棒倾斜