CN118678697A 一种存储器件及制作方法、存储器 （中国科学院微电子研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118678697A

(43)申请公布日2024.09.20

(21)申请号202310275096.1

(22)申请日2023.03.20

(71)申请人中国科学院微电子研究所

地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

(72)发明人毕津顺范林杰王健健赵碧瑶

韩婷婷田密朱伟强

(74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限

公司11628

专利代理师王胜利

(51)Int.Cl.

H10B63/00(2023.01)

H01L29/10(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种存储器件及制作方法、存储器

(57)摘要

本发明公开一种存储器件及制作方法、存储

器，涉及微电子器件技术领域，以在解决存储器

件容易受到辐照效应的影响而导致器件性能退

化乃至失效的问题的同时，减小1T1R存储器件的

面积，提高器件的集成度，以提升器件的性能。所

述存储器件包括：衬底、以及形成在衬底上的晶

体管和阻变存储器；晶体管包括栅极、阻挡层和

有源区；栅极形成在部分衬底上；阻挡层覆盖在

栅极和衬底上；有源区形成在阻挡层上，有源区

包括源极区和漏极区，源极区与漏极区之间具有

空气沟道，有源区的材质均为金属材质；阻变存

储器直接形成在源极区或漏极区上。

A

7

9

6

8

7

6

8

1

1

N

C

CN118678697A权利要求书1/1页

1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底、以及形成在所述衬底上的晶体管和阻变存

储器；

所述晶体管包括栅极、阻挡层和有源区；所述栅极形成在部分所述衬底上；所述阻挡层

覆盖在所述栅极和所述衬底上；所述有源区形成在所述阻挡层上，所述有源区包括源极区

和漏极区，所述源极区与所述漏极区之间具有空气沟道，所述有源区的材质均为金属材质；

所述阻变存储器直接形成在所述源极区或所述漏极区上。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小

于100纳米。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述空气沟道的长度大于0纳米、且小

于68纳米。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述阻变存储器包括阻变层，以及形

成在所述阻变层上的阻变上电极；

当所述阻变存储器形成在所述源极区上时，所述阻变层形成在所述源极区上；当所述

阻变存储器形成在所述漏极区上时，所述阻变层形成在所述漏极区上。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述阻变层的材质包括氧化钛、氧化

铪、氧化钽、氧化铝、氧化钨和氧化铜中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，所述阻变上电极的材质包括氮化钛

和/或铂。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述源极区和所述漏极区的材料相

同。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述有源区的材质包括铬、金、镍、钨、

铂和铜中的至少一种。

9.一种存储器件的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1～8任一项所述的存储

器件，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在部分所述衬底上形成栅极；

形成覆盖在所述栅极和所述衬底上的阻挡层；

在所述阻挡层上形成有源区；所述有源区包括源极区和漏极区，所述源极区与所述漏

极区之间具有空气沟道；所述有源区的材质均为金属材质；

在所述源极区或所述漏极区上形成阻变存储器。

10.一种存储器，其特征在于，包括多个阵列排布的如权利要