CN116072793A 高光效发光二极管器件结构及其制作方法 （广东中科半导体微纳制造技术研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116072793A(43)申请公布日2023.05.05

(21)申请号202111285852.6

(22)申请日2021.11.01

H01L33/00(2010.01)

(71)申请人广东中科半导体微纳制造技术研究

院

地址528000广东省佛山市南海区狮山镇

科教路1号

申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

(72)发明人邓彪刘乐功熊文浚吕小翠

冯美鑫刘卫杨勇杨辉

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

专利代理师王锋

(51)Int.CI.

HO1L33/46(2010.01)

权利要求书2页说明书11页附图2页

(54)发明名称

高光效发光二极管器件结构及其制作方法

(57)摘要

CN116072793A本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护

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CN116072793A权利要求书1/2页

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1.一种高光效发光二极管器件结构，包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；其特征在于：所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。

2.根据权利要求1所述的高光效发光二极管器件结构，其特征在于：所述绝缘层围绕由所述第一反射层和保护层组成的叠层结构设置。

3.根据权利要求2所述的高光效发光二极管器件结构，其特征在于：所述外延层表面间隔分布有多个所述的叠层结构，多个所述叠层结构在所述外延层上的正投影构成第一图形，所述绝缘层在所述外延层上的正投影构成第二图形，所述第一图形与第二图形为互补图形。

4.根据权利要求1所述的高光效发光二极管器件结构，其特征在于：所述绝缘层上还叠设有第二反射层；和/或，所述绝缘层顶端面与所述叠层结构顶端面齐平；和/或，所述绝缘层具有反光功能；和/或，所述第一反射层的材质包括Ag、Al、Ag与Ni的组合中的任意一种；和/或，所述保护层的材质包括Ni、Ti、Cr、Au、Pt、W、TiW中的任意一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的高光效发光二极管器件结构，其特征在于还包括与所述外延层配合的第一电极和第二电极，所述外延层包括依次层叠设置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，所述第二电极包括第一反射层，所述第一反射层设置在第二导电半导体层上并与第二导电半导体层电性接触，所述第一导电半导体层与第一电极电连接。

6.根据权利要求5所述的高光效发光二极管器件结构，其特征在于：所述第一导电半导体层或第二导电半导体层与有源层之间还设置有电子阻挡层；和/或，所述第一导电半导体层具有表面粗化结构；和/或，其中保护层还经键合层与键合基板连接；和/或，所述高光效发光二极管器件结构包括垂直结构、倒装结构或倒装垂直结构。

7.一种高光效发光二极管器件结构的制作方法，其特征在于包括：

提供用于制作发光二极管的外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

在所述第二半导体层上形成导电反射材料层后进行退火处理，使所述导电反射材料层与第二半导体层形成欧姆接触；

在所述导电反射材料层上沉积保护材料，形成保护材料层；

将覆设在所述第二半导体层表面第一区域上的导电反射材料层和保护材料层完全去除，而保留覆设在所述第二半导体层表面第二区域上的导电反射材料层和保护材料层，形成第一反射层和保护层，所述保护层和第一反射层两者在所