稀土离子掺杂ZnO薄膜的制备工艺与特性的深度剖析.docx

稀土离子掺杂ZnO薄膜的制备工艺与特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，氧化锌（ZnO）凭借其独特而优异的物理性质，已然成为研究的焦点与热点。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，在室温条件下，其禁带宽度可达3.37eV，而激子束缚能更是高达60meV。这一特性使得ZnO在制备短波长光电器件方面具有显著优势，例如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等。与传统的发光材料相比，基于ZnO的光电器件具有响应速度快、发光效率高、稳定性好等优点，能够满足现代光电子技术对高性能器件的需求。在光通信领域，ZnO基UV-LED可用于光信号的发射和