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手机电子厂测试技术员考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.在手机主板功能测试中，发现某颗PMIC（电源管理芯片）输出电压为0V，但输入电压正常，最可能的原因是：

A.主板短路

B.PMIC内部LDO损坏

C.测试针床接触不良

D.软件未加载校准数据

答案：B

解析：输入电压正常而输出为0V，说明PMIC未启动或内部LDO损坏；短路通常伴随电流异常，针床接触不良会导致随机失效，软件校准数据影响的是精度而非有无输出。

2.使用Agilent3070ICT测试机台时，出现“PinOpen”报警，下列排查顺序最合理的是：

①检查治具探针②确认PCB焊盘氧化③重烧测试程序④量测针床行程

A.①②④③

B.④①②③

C.②①④③

D.①④②③

答案：D

解析：先排除最常见探针磨损（①），再确认行程是否到位（④），随后看焊盘氧化（②），最后才怀疑程序（③），避免盲目重烧。

3.手机整机射频测试中，测得LTEB3最大功率仅19dBm，规格≥23dBm，首先应：

A.更换天线匹配

B.检查PA供电电压

C.重烧IMEI号

D.升级调制解调固件

答案：B

解析：功率跌落4dB，先查PA的Vcc与Ibias是否被PMIC限流；天线匹配影响平坦度而非整体功率；IMEI与固件不直接决定功率。

4.在MES系统里，某序列号被误判定为FAIL并锁机，技术员可在哪级权限执行解锁：

A.作业员

B.线长

C.工程师

D.品质经理

答案：C

解析：MES解锁需工程师及以上，防止作业员随意更改结果；线长仅可查看，品质经理负责审核而非日常解锁。

5.使用CMW500测Wi-Fi6E吞吐量时，必须预先导入的文件是：

A.QDID证书

B.ARFCN表

C.MCS9数据包模板

D.校准矩阵eeprom

答案：C

解析：吞吐量测试需指定MCS速率模板；QDID为蓝牙认证，ARFCN用于蜂窝，eeprom在校准阶段已导入。

6.发现USB-C接口插拔500次后充电电流降至0mA，但耳机模式正常，最可能失效的是：

A.CC1/CC2通道

B.SBU边带

C.VBUSMOS

D.DP/DM高速线

答案：C

解析：充电电流为0，VBUS路径MOS损坏；耳机走SBU，高速线走DP/DM，CC通道仅负责协议，不会导致完全无电流。

7.产线做温度循环验证时，-20℃?60℃各30min，共20cycles，出现3%不开机，下一步应：

A.直接放宽规格到-10℃

B.复测不良品并做X-RAY

C.把循环缩短为10cycles

D.更换锡膏品牌

答案：B

解析：先复现并定位失效点，X-RAY看BGA冷焊；规格与循环次数不能随意改，锡膏品牌无直接证据前不切换。

8.在FT测试站，下载IMEI时提示“EEPROMwritetimeout”，不可能的原因是：

A.I2C上拉电阻虚焊

B.下载线过长导致信号衰减

C.条码枪扫错位数

D.主板进入深度休眠

答案：C

解析：条码位数错会提示格式错误，不会触发写超时；I2C虚焊、线长、休眠均会导致写失败。

9.使用安捷伦示波器测MIPI-DSI时钟，发现眼图抖动120ps，首先应：

A.换更高带宽探头

B.缩短地线到3cm以内

C.打开示波器带宽限制20MHz

D.降低驱动电流

答案：B

解析：地线过长引入环路电感，抖动增大；带宽限制会隐藏真相，降低驱动只能恶化，换探头非首要。

10.产线ATE测试良率突然从99%掉到92%，且失效集中在Ch3、Ch7，应优先：

A.检查测试线体气压

B.重算GRR

C.切换备用测试程序

D.校验测试机台校准日期

答案：A

解析：固定通道失效多由气压不足导致探针接触不良；GRR用于评估系统稳定性，程序切换风险高，校准日期非突发。

11.手机跌落测试后，出现间歇性SIM不识卡，最可能失效的器件是：

A.eSIM芯片

B.SIM卡座弹片

C.主CPU

D.射频收发器

答案：B

解析：跌落导致卡座弹片变形，接触电阻变大；eSIM为贴片，CPU与收发器虚焊会伴随更多功能失效。

12.在电池校准工位，测得电量计Qmax=2800mAh，设计值3000mAh，偏差6.7%，应：

A.直接更新Qmax到3000

B.跑两个完整充放循环再测

C.降低截止电压0.1V

D.更换电量计芯片

答案：B

解析：新电池未充分活化，Qmax偏低属正常；需循环后重新学习，人为改值会掩盖真实容量。

13.使用激光打标机时，二维码等级低于C级，首先调整：

A.激光功率

B.场镜焦距

C.打标速度

D.冷却水温

答案：C

解析：速度过快导致边缘毛刺，对比度