CN115666141B 面向冷金属检测的带通有机光电探测器及其制作方法 （太原理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115666141B(45)授权公告日2023.07.04

(21)申请号202211593177.8

(22)申请日2022.12.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115666141A

(43)申请公布日2023.01.31

(73)专利权人太原理工大学

地址030024山西省太原市迎泽西大街79

号

专利权人山西浙大新材料与化工研究院

(72)发明人石林林焦佳张叶崔艳霞李国辉王文艳冀婷温荣

(74)专利代理机构太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)14110

专利代理师赵江艳

(51)Int.CI.

H10K30/60(2023.01)

H10K30/30(2023.01)

H10K85/10(2023.01)

H10K71/12(2023.01)

(56)对比文件

XiaoyunXU.QuantumEfficiencyand

VoltageLossesinP3HT:Non-fullerene

SolarCells.《物理化学学报》.2022,第11卷(第2201039期),1-11.

审查员陆然

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

面向冷金属检测的带通有机光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN115696141B本发明属于半导体光学器件技术领域，公开了一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器及其制作方法，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、界面修饰层、活性层、阴极层；所述阳极层为ITO透明电极，空穴传输层材料为PEDOT:PSS,界面修饰层材料为Al?0?。本发明与其它窄光谱响应倍增型有机光电探测器相比，可实现可见光

CN115696141B

CN115666141B权利要求书1/1页

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1.一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器，其特征在于，包括依次设置的阳极层(1)、空穴传输层(2)、界面修饰层(3)、活性层(4)、阴极层(5);

所述阳极层(1)为ITO透明电极，空穴传输层材料为(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，即PEDOT:PSS,活性层(4)的材料为3-己基取代聚噻吩：Y6,即：P3HT:Y6,活性层(4)的厚度为：2~4μm,界面修饰层(3)材料为Al?0?;

活性层(4)的材料中，3-己基取代聚噻吩与Y6的质量比为100:1;

在-60V偏压下，有机光电探测器在300-610nm波段的外量子效率基本为零，在红光和近红外光波段范围内具有窄带响应特性，量子效率的值最高达到1.1×10?%。

2.根据权利要求1所述的一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器，其特征在于，所述阴极层(5)材料为Al或者Au,所述空穴传输层(2)的材料中，(3,4-乙烯二氧噻吩)与聚苯乙烯磺酸的质量比为1:2.5。

3.根据权利要求1所述的一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器，其特征在于，所述空穴传输层(2)厚度为：20~30nm,所述界面修饰层(3)的厚度为0.5~1nm。

4.根据权利要求1所述的一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器，其特征在于，所述空穴传输层(2)厚度为25±0.2nm,活性层(4)的厚度为：2.8±0.2μm,所述界面修饰层

(3)的厚度为0.8±0.05nm。

5.根据权利要求1所述的一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将氧化铟锡导电玻璃清洗后吹干；

S2、将PEDOT:PSS溶液滴加在ITO导电玻璃表面旋涂，得到空穴传输层；然后将其置于加热台上退火后转移到集成有原子层沉积系统的手套箱中，常温静置；

S3、利用A1(CH?)?和H?0的交替反应，以每圈0.1nm的速率在空穴传输层上真空原子层沉积材料为Al?0?的界面修饰层；

S4、将样品冷却后，在界面修饰层上真空旋涂活性层溶液直至活性层厚度达到预定厚度；旋涂完成后置于加热台上退火，并在手套箱中静置；

S5、在活性层表面制备阴极层，得到有机光电探测器器件。

6.根据权利要求5所述的一种面向冷金属检测的带通有机光电探测器的制作方法，其特征在于，所述步骤S2的具体步骤为：

将50微升固含量1.0~1.3%,PEDOT与PSS质量比为1:2.5的PED