CN115939718A 一种谐振芯片及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115939718A(43)申请公布日2023.04.07

(21)申请号202211538318.6

(22)申请日2022.12.01

(66)本国优先权数据

202111478357.72021.12.06CN

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人李毅杨亚涛

(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463

专利代理师曾静

(51)Int.CI.

HO1P7/10(2006.01)

HO1P11/00(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图9页

(54)发明名称

一种谐振芯片及其制作方法

(57)摘要

CN115939718A本发明涉及半导体领域，涉及一种谐振芯片及其制作方法。谐振芯片包括：介电层。介电层上设置有谐振通道；介电层包括谐振器与过渡介电层；谐振器形成在过渡介电层表面；谐振通道依次贯通谐振器与过渡介电层；谐振器用于与激发光形成共振响应，并使得电场能量局限在谐振通道内；过渡介电层用于隔离生物分子通过，使生物反应仅在谐振通道内反应。相对于金属包覆层，本申请使用介电层避免了电磁波的能量损耗以及光淬灭的问题。带有谐振通道放入谐振器，将电磁场束缚在谐振通道当中，实现对于谐振通道内单分子荧光过程的增强。使生物反应仅在谐

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谐振狭缝

谐振狭缝

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CN115939718A权利要求书1/2页

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1.一种谐振芯片，其特征在于，包括：

介电层，所述介电层上设置有谐振通道，所述谐振通道贯通所述介电层；

所述介电层包括谐振器与过渡介电层；

所述谐振器形成在所述过渡介电层表面；

所述谐振通道依次贯通所述谐振器与所述过渡介电层；所述谐振器用于与激发光形成共振响应，并使得电场能量局限在所述谐振通道内；所述过渡介电层用于隔离生物分子通过，使生物反应仅在所述谐振通道内反应。

2.根据权利要求1所述的谐振芯片，其特征在于，所述谐振器为岛状。

3.根据权利要求2所述的谐振芯片，其特征在于，所述谐振器的边缘形成规则形状或者拓扑形状。

4.根据权利要求1所述的谐振芯片，其特征在于，所述谐振通道为狭缝状、规则孔或者不规则孔状。

5.根据权利要求4所述的谐振芯片，其特征在于，

所述谐振通道最窄处的宽度最大值为20nm。

6.根据权利要求4所述的谐振芯片，其特征在于，

所述谐振通道的总体积控制在单分子探测量级。

7.根据权利要求1-6任一项所述的谐振芯片，其特征在于，所述介电层由非金属材料制成。

8.根据权利要求7所述的谐振芯片，其特征在于，所述谐振器与所述过渡介电层的材料可以相同或者不相同。

9.根据权利要求1所述的谐振芯片，其特征在于，

所述谐振芯片还包括：

衬底；

形成于所述衬底表面的导电层。

10.根据权利要求9所述的谐振芯片，其特征在于，

所述导电层由电极材料制成，用于外接电压。

11.根据权利要求9所述的谐振芯片，其特征在于，

所述谐振芯片还包括：

形成于所述导电层表面的附着层；所述介电层形成于所述附着层的表面。

12.根据权利要求11所述的谐振芯片，其特征在于，

所述附着层由多孔材料制成。

13.根据权利要求11所述的谐振芯片，其特征在于，

所述谐振芯片包括渗水孔；所述渗水孔贯通所述衬底和所述导电层，并与所述附着层接触。

14.一种谐振芯片，其特征在于，所述谐振芯片包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的导电层；

位于所述导电层一侧的附着层；

位于所述附着层一侧的介电层，其中，所述介电层上设置有谐振狭缝，所述谐振狭缝贯

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通所述介电层。

15.根据权利要求14所述的谐振芯片，其特征在于，所述介电层包括谐振器与过渡介电层；

所述过渡介电层位于所述附着层的一侧，所述谐振器位于所述过渡介电层的一侧；

所述谐振狭缝依次贯通所述谐振器与所述过渡介电层。

16.根据权利要求15所述的谐振芯片，其特征在于，所述谐振器为圆形，所述谐振狭缝的形状为条状矩形，所述谐振狭缝设置于所述谐振器的中心。

17.根据权利要求15所述的谐振芯