CN115910989A 一种埋无源器件封装基板及其制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115910989A(43)申请公布日2023.04.04

(21)申请号202211525980.8

(22)申请日2022.11.30

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人李君红杜玲玲张军彭增王建彬查晓刚

HO1LHO1L

21/48(2006.01)23/528(2006.01)

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

HO1L23/522(2006.01)

HO1L23/48(2006.01)

HO1L21/60(2006.01)

B33Y80/00(2015.01)

B33Y10/00(2015.01)

权利要求书1页说明书18页附图4页

(54)发明名称

一种埋无源器件封装基板及其制作方法

(57)摘要

CN115910989A本发明提供一种埋无源器件封装基板及其制作方法，所述封装基板包括：封装基板结构，包括至少一层第一布线层，所述第一布线层包括第一线路层、第一导电盘、第一导电柱及第一介电层；于所述第一介电层的上表面形成无源器件层，所述无源器件层位于两个相邻所述第一导电盘之间；形成至少一层第二布线层，所述第二布线层堆叠于所述第一布线层的表面，所述第二布线层包括第二介电层、第二导电柱、第二导电盘及第二线路层，位于所述第一布线层上表面的所述第二介电层覆盖所述无源器件层的显露表面；于所述第二导电盘及所述第二线路层的显露表面形成防氧化层。本发明利用3D打印法制作所述

CN115910989A

提供一封装基板结构，所述封装基板结构包

提供一封装基板结构，所述封装基板结构包括至少一层第一布线层，所述第一布线层包括第一线路层、第一导电

盘、第一导电柱及第一介电层；

于所述第一介电层的上表面形成无源器件层，所述无源器件层

位于两个相邻所述第一导电盘之间；

形成至少一层第二布线层，所述第二布线层堆叠于所述第一布线层的表面，所述第二布线层包括第二介电层、第二导电柱、第二导电

盘及第二线路层，位于所述第一布线层上表面的所述第二介电层覆盖所述无源器件层的显露表面；

于所述第二导电盘及所述第二线路层的显露表面形成防氧化层。

S1

S4

CN115910989A权利要求书1/1页

2

1.一种埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一封装基板结构，所述封装基板结构包括至少一层第一布线层，所述第一布线层包括第一线路层、第一导电盘、第一导电柱及第一介电层；

于所述第一介电层的上表面形成无源器件层，所述无源器件层位于两个相邻所述第一导电盘之间；

形成至少一层第二布线层，所述第二布线层堆叠于所述第一布线层的表面，所述第二布线层包括第二介电层、第二导电柱、第二导电盘及第二线路层，位于所述第一布线层上表面的所述第二介电层覆盖所述无源器件层的显露表面；

于所述第二导电盘及所述第二线路层的显露表面形成防氧化层。

2.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述封装基板结构包括有芯封装基板结构、无芯封装基板结构。

3.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件层包括至少一种无源器件。

4.根据权利要求3所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件包括电阻、电感及电容。

5.根据权利要求3所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件的材质包括金属材料、非金属材料。

6.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件层包括至少一个无源器件。

7.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件层的厚度不大于所述导电盘的厚度。

8.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述无源器件层的制作方法包括3D打印法。

9.根据权利要求1所述的埋无源器件封装基板的制作方法，其特征在于：所述第二布线层不少于两层，至少一相邻两层所述第二介电层之间还设有所述无源器件层，所述无源器件层位于相邻两个所述第二导电盘之间。

10.一种埋无源器件封装基板，其特征在于，所述埋无源器件封装基板是如采用权利要求1～9中任意一项所述的埋无源