CN115951566A 倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115951566A(43)申请公布日2023.04.11

(21)申请号202211731871.1

(22)申请日2023.02.24

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址310000浙江省杭州市萧山区市心北

路99号5楼

(72)发明人盛况任娜熊丹妮徐弘毅

(74)专利代理机构杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)33260

专利代理师姚宇吉

(51)Int.CI.

GO3FHO1L

HO1LGO3F

7/30(2006.01)

21/027(2006.01)21/3205(2006.01)7/20(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法

(57)摘要

CN115951566A本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法。本发明提供表面具有一定厚度的负性光刻胶层的基底，对基底表面的光刻胶层进行不充足曝光，在对光刻胶层进行第一和第二显影，实现充分显影，最终形成具有倒凸型结构的光刻胶条。本发明中的光刻胶层具有倒凸型结构，在基底表面与倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层时，由于金属层的厚度小于底部光刻胶层的厚度，使得基底表面的金属层与顶部光刻胶层的边缘断开，且倒凸形结构与基底的接触面积更小，使得光刻胶与金属的彻底断开，保证了形成的金属图形中金属线条的尺寸，金属层也不会和光刻

CN115951566A

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光刻胶层

对所述基底表面的负性光刻胶层进行不充足曝光

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第一显影

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第二显影，实现充分显影，形成倒凸型结构光刻胶条

S10

S20

S30

S40

CN115951566A权利要求书1/1页

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1.一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光刻胶层；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行不充足曝光；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第一显影；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第二显影，实现充分显影，形成倒凸型结构光刻胶条。

2.如权利要求1所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述一定厚度的光刻胶层的厚度范围为3um-10um。

3.如权利要求1所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述一定厚度的负性光刻胶层的厚度大于等于6μm。

4.如权利要求1所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述不充足曝光对应的工艺参数包括曝光计量和焦平面，所述曝光计量和焦平面参数可调，使得曝光过程中光刻版图形透光部分光线从光刻胶层顶部传递至光刻胶层底部的过程中，光刻胶层底部缺少感光。

5.如权利要求4所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述不充足曝光时曝光计量范围为500ms-1000ms,焦平面范围为Oum-5um。

6.如权利要求1所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述第一显影和第二显影的显影液浓度范围为2%-4%,所述第一显影和第二显影的时间范围为15s-

45s。

7.如权利要求1所述的一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，其特征在于，所述倒凸型结构光刻胶条包括底部光刻胶层和顶部光刻胶层，底部光刻胶层的尺寸小于顶部光刻胶层的尺寸。

8.一种金属图形的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光刻胶层；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行不充足曝光；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第一显影；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第二显影，实现充分显影，形成倒凸型结构光刻胶条；

在所述基底表面和倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层；

剥离所述倒凸型结构光刻胶条后，形成金属图形。

9.如权利要求8所述的一种金属图形的制作方法，其特征在于，所述负性光刻胶层的厚度为金属层厚度的1.2倍以上。

10.如权利要求8所述的一种金属图形的制作方法，其特征在于，所述倒凸型结构光刻胶条包括底部光刻胶层和顶部光刻胶层，底部光刻胶层的尺寸小于顶部光刻胶层的尺寸，所述金属层的厚度小于所述底部光刻胶层的厚度。

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