CN115932013A 以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器及其制作方法 （华北理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115932013A(43)申请公布日2023.04.07

(21)申请号202310225379.5

(22)申请日2023.03.10

(71)申请人华北理工大学

地址063210河北省唐山市曹妃甸新城渤

海大道21号

(72)发明人戴磊王岭赵晓晶孟维薇李跃华

(74)专利代理机构唐山永和专利商标事务所

13103

专利代理师邢智博

(51)Int.CI.

GO1N27/407(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器及其制作方法

(57)摘要

CN115932013A本发明公开了一种以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器及其制作方法，涉及气体传感器技术领域。本发明使用熔盐法制备得到的敏感电极材料CoWO?对NH?具有较高的响应值和灵敏度，传感器的工作温度范围广，检测下限达到

CN115932013A

350℃-60min

10ppm

25ppm

-20

50ppm75p100pgm

300°℃-60min

80

4000600080001000012000

-10002000

400℃-60min

5ppm

时间(S)

CN115932013A权利要求书1/1页

2

1.一种以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，按如下步骤：

S1、制备致密YSZ固体电解质：将YSZ电解质粉体中加入PVB进行湿法球磨，混匀后自然晾干，压制成片状，之后进行致密化烧结，得到致密YSZ固体电解质基片；

S2、制备多孔层/致密层双层结构的YSZ固体电解质：将YSZ电解质粉体中加入造孔剂石墨粉进行湿法球磨，混匀干燥后，加入有机载体，再次混合，采用丝网印刷技术将混合有机载体的粉末涂覆在致密YSZ固体电解质基片一侧面，之后煅烧得到多孔层/致密层双层结构的YSZ固体电解质；

S3、制备敏感电极材料CoWO?:

S3-1、将Na?WO?·2H?0和CoCl?·6H?0分别溶解于蒸馏水中形成水溶液；

S3-2、两种水溶液混合形成沉淀物，沉淀经过滤、洗涤和干燥，得到CoW?前驱体；

S3-3、将CoWO?前驱体与NaNO?、KNO?混合研磨，将混合物置于坩埚中，分别在300~400℃下保温60min;

S3-4、产品经过冷却、清洗、过滤、干燥、煅烧得到敏感电极材料CoWO?;

S4、将敏感电极材料均匀分布在多孔层/致密层双层结构的YSZ固体电解质的多孔层内，烧结得到固体电解质；

S5、在S4制得的固体电解质上安装参比电极，得到传感器。

2.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，S1中PVB用量为S1中YSZ电解质粉体用量的1wt%,烧结温度为1600℃,烧结时间5h。

3.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，S2中石墨粉的用量为S2中YSZ电解质粉体用量的30wt%,煅烧温度为1450℃,煅烧时间为3h。

4.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，S3-1得到的两种水溶液的摩尔浓度均为1M,并且Co2+与WO?2的摩尔浓度比为1:1。

5.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其

特征在于，S3-3中NaNO?与KNO?的摩尔比为1:1,CoW?前驱体与NaNO?和KNO?之和的摩尔比为

1:10。

6.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，S3-4中煅烧温度为800℃,煅烧时间为3h。

7.根据权利要求1所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，S4包括将敏感电极材料CoWO?与有机载体混合，用磁力搅拌器连续搅拌24h以保证混合均匀，得到浆料，然后把浆料用丝网印刷机涂覆在多孔层/致密层双层结构的YSZ固体电解质的多孔层上，最后在800℃下烧结，烧结时间为3h。

8.根据权利要求7所述的以熔盐法制备的钨酸钴为敏感电极的传感器的制作方法，其特征在于，有机载体由94wt%松油醇和