CN115547847A 一种基板及其制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115547847A(43)申请公布日2022.12.30

(21)申请号202211338850.3

(22)申请日2022.10.28

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人杜玲玲李君红张军彭增王建彬查晓刚

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

HO1L23/498(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图3页

(54)发明名称

一种基板及其制作方法

提供一承载板，所述承载板的上表面设有解离膜；

提供一承载板，所述承载板的上表面设有解离膜；

于所述解离膜的上表面形成预设高度的第一导电柱：

于所述第一导电柱周围填充第一介电层，所述第一介电层上表面低于所述第一

导电柱上表面第一预设距离；

于所述第一介电层上表面形成第一线路层及覆盖所述第一导电柱显露表面的第

一导电盘，以得到位于所述解离膜上表面的第一布线层；

于所述第一布线层的上表面形成第二布线层，所述第二布线层包括至少一层布

线层单元，位于底层的所述布线层单元包括第二导电柱、第二介电层、第二线

路层及第二导电盘，所述第二导电柱形成于所述第一导电盘的上表面，所述第

二介电层填充于所述第二导电柱的周围，所述第二介电层的上表面低于所述第

二导电柱的上表面第二预设距离，所述第二线路层形成于所述第二介电层的上

表面，所述第二导电盘覆盖所述第二导电柱的显露表面：

去除所述解离膜以显露出所述第一导电柱的底面，并对所述第一导电柱的底面

依次进行表面处理及防氧化处理。

CN115547847A(57)摘要本发明提供一种基板及其制作方法，该基板的制作方法包括：提供一上表面设有解离膜的承载板；于解离膜上形成第一导电柱；形成上表面低于第一导电柱上表面的第一介电层；形成位于第一介电层上的第一线路层及覆盖第一导电柱显露表面的第一导电盘；于第一布线层的上表面形成第二布线层，第二布线层包括至少一布线层单元，布线层单元包括位于第一导电盘上表面的第二导电柱、填充于第二导电柱周围的第二介电层、形成于第二介电层上表面的第二线路层及覆盖第二导电柱显露表面的第二导电盘；去除解离膜，并对第一导电柱的底面进行防氧化处理。本发明通过3D打印法或注入法形成第一介电层及

CN115547847A

(57)摘要

CN115547847A权利要求书1/2页

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1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一承载板，所述承载板的上表面设有解离膜；

于所述解离膜的上表面形成预设高度的第一导电柱；

于所述第一导电柱周围填充第一介电层，所述第一介电层上表面低于所述第一导电柱上表面第一预设距离；

于所述第一介电层上表面形成第一线路层及覆盖所述第一导电柱显露表面的第一导电盘，以得到位于所述解离膜上表面的第一布线层；

于所述第一布线层的上表面形成第二布线层，所述第二布线层包括至少一层布线层单元，位于底层的所述布线层单元包括第二导电柱、第二介电层、第二线路层及第二导电盘，所述第二导电柱形成于所述第一导电盘的上表面，所述第二介电层填充于所述第二导电柱的周围，所述第二介电层的上表面低于所述第二导电柱的上表面第二预设距离，所述第二线路层形成于所述第二介电层的上表面，所述第二导电盘覆盖所述第二导电柱的显露表面；

去除所述解离膜以显露出所述第一导电柱的底面，并对所述第一导电柱的底面依次进行表面处理及防氧化处理。

2.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：形成所述第一导电柱之后，形成所述第一介电层之前，还包括于所述承载板的边缘形成挡板的步骤。

3.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一导电柱的直径尺寸大于等于10μm,高度大于等于5μm。

4.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一导电柱的形成方法包括3D打印法；所述第一导电盘的形成方法包括3D打印法；所述第一线路层的形成方法包括3D打印法。

5.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：所述第一介电层的形成方法包括3D打印法、注入法。

6.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于：形成所述第一介电层之后，形成所述第一线路层之前还包括对