CN115828815A 模拟装置、热等效电路制作方法及数据结构 （株式会社东芝）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115828815A(43)申请公布日2023.03.21

(21)申请号202210155253.0G6F119/08(2020.01)

(22)申请日2022.02.21

(30)优先权数据

2021-1523062021.09.17JP

(71)申请人株式会社东芝地址日本东京都

申请人东芝电子元件及存储装置株式会社

(72)发明人迁村俊博安藤大辅伊见仁青木孝哲

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

72002

专利代理师刘英华

(51)Int.CI.

GO6F30/367(2020.01)

GO6F113/08(2020.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

模拟装置、热等效电路制作方法及数据结构

(57)摘要

20存储装置热电路数据数值数据30估计装置运算器输入装置键盘鼠标40输出装置显示器实施方式提供对半导体装置的热特性的经时变化的验证有用的模拟装置、热等效电路制作方法以及数据结构。实施方式的模拟装置(1)包括：存储装置(20),存储与半导体装置的热等效

20存储装置

热电路数据

数值数据

30估计装置

运算器

输入装置

键盘

鼠标

40

输出装置显示器

CN115828815

CN115828815A

CN115828815A权利要求书1/2页

2

1.一种模拟装置，具备：

存储装置，存储与半导体装置的热等效电路有关的数据；以及

估计装置，使用所述数据来估计所述半导体装置的热特性的经时变化，

所述热等效电路包括：第一热等效电路，对应于所述半导体装置的下表面侧部分；以及第二热等效电路，与所述第一热等效电路连接，且对应于所述半导体装置的上表面侧部分。

2.根据权利要求1所述的模拟装置，其中，

所述估计装置估计所述半导体装置的所述上表面侧部分的热特性的经时变化及所述半导体装置的所述下表面侧部分的热特性的经时变化中的至少一个。

3.根据权利要求1或2所述的模拟装置，其中，

所述第一热等效电路包括考尔型的第一热等效电路，

所述第二热等效电路包括考尔型的第二热等效电路。

4.根据权利要求3所述的模拟装置，其中，

所述半导体装置包括半导体芯片，

所述第一热等效电路包括：第一电阻，对应于所述半导体芯片的下表面侧部分的热阻；第一电容器，对应于所述半导体芯片的下表面侧部分的热电容；第二电阻；以及第二电容器，所述第二电阻及所述第二电容器设置在所述第一热等效电路的最终级，

所述第二热等效电路包括：第三电阻，对应于所述半导体芯片的上表面侧部分的热阻；第三电容器，对应于所述半导体装置的上表面侧部分的热电容；第四电阻；以及第四电容器，所述第四电阻及所述第四电容器设置在所述第二热等效电路的最终级。

5.根据权利要求1或2所述的模拟装置，其中，

所述估计装置包括运算器。

6.一种热等效电路的制作方法，具备：

第一工序，取得半导体装置的下表面侧部分的第一热特性的经时变化、所述半导体装置的上表面侧部分的第二热特性的经时变化以及所述半导体装置的下表面侧及上表面侧部分的第三热特性的经时变化；

第二工序，制作第一热等效电路及第二热等效电路，该第一热等效电路包括多个第一电阻及多个第一电容器，且对应于所述半导体装置的所述下表面侧部分，该第二热等效电路与所述第一热等效电路连接，包括多个第二电阻及多个第二电容器，且对应于所述半导体装置的所述上表面侧部分；以及

第三工序，以如下方式决定所述多个第一电阻的电阻值、所述多个第一电容器的电容值、所述多个第二电阻的电阻值以及所述多个第二电容器的电容值，

所述方式为：使用所述第一热等效电路及所述第二热等效电路计算出的所述半导体装置的所述下表面侧部分的热特性的经时变化与所述第一热特性的经时变化之差收敛在预先确定的范围内，

使用所述第一热等效电路及所述第二热等效电路计算出的所述半导体装置的所述上表面侧部分的热特性的经时变化与所述第二热特性的经时变化之差收敛在预先确定的范围内，并且，

使用所述第一热等效电路及所述第二热等效电路计算出的所述半导体装置的所述下表面侧及上表面侧部分的热特性的经时变化与所述第三热特性的经时变化之差收敛在预

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