CN115799074A 一种嵌入式封装结构的制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115799074A(43)申请公布日2023.03.14

(21)申请号202211527746.9

(22)申请日2022.11.30

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人曹子鲲黄剑查晓刚王建彬

付海涛张伟上官昌平

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

HO1L23/498(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种嵌入式封装结构的制作方法

(57)摘要

CN115799074A本发明一种嵌入式封装结构的制作方法，使用UV激光成孔工艺先于绝缘介质层中形成与芯片的焊盘具有一定距离的盲孔，再利用蚀刻工艺形成通孔，由于UV激光成孔工艺属于光化学作用，从而可以有效降低对芯片的热效应影响，以降低芯片损伤的风险，在一定程度上简化了制造工艺流程，提高了生产效率、且由于没有采用传统的湿法刻蚀工艺，从而可以减少环境污染、降低生产成本；此外，本发明所提供的工艺不受衬

CN115799074A

CN115799074A权利要求书1/1页

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1.一种嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

提供一有机载板，所述有机载板的第一表面和第二表面分别设置有第一线路层和第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层经贯穿所述有机载板的导电通路电连接，所述有机载板内设置有至少一个用以容置芯片的空腔；

于所述第二表面上贴附粘接膜，并将芯片置于所述空腔中，且使所述芯片的焊盘与所述粘接膜粘接固定；

于所述第一表面上形成塑封层，所述塑封层完全覆盖所述第一表面、所述第一线路层、且所述空腔被所述芯片和所述塑封层完全填充；

去除所述粘接膜并于所述第二表面上形成绝缘介质层，使所述第二表面、所述第二线路层及所述芯片被所述绝缘介质层完全覆盖；

通过UV激光成孔工艺于所述绝缘介质层中形成若干个盲孔；

通过干法等离子体刻蚀工艺去除所述盲孔内剩余的所述绝缘介质层形成通孔，且所述通孔显露所述芯片的焊盘以及所述第二线路层；

于所述通孔中电镀金属形成金属连接层，所述金属连接层结合所述绝缘介质层形成再布线层，所述再布线层分别电性连接所述芯片和所述有机载板。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：还包括形成覆盖所述金属连接层的阻焊层以及位于所述阻焊层的开口，并于所述阻焊层的开口内形成与所述金属连接层电连接的焊点阵列的步骤。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第二表面与所述芯片的焊盘位于同一平面上。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述干法等离子体刻蚀工艺包括电容耦合等离子体刻蚀工艺、电感耦合等离子体刻蚀工艺或微波等离子体刻蚀工艺。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述绝缘层的形成工艺包括旋涂工艺或真空贴膜工艺。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述绝缘介质层包括非感光型绝缘介质层或感光型绝缘介质层。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述盲孔的宽度范围为30μm以下。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述再布线层为自下而上叠置的复合再布线结构。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：于所述通孔中电镀金属形成金属连接层的具体步骤包括：形成覆盖所述绝缘介质层及所述通孔的预镀金属层；于所述预镀金属层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层；电镀金属形成金属连接层，所述金属连接层分别电性连接所述芯片和所述有机载板；去除所述光刻胶层及显露的部分所述预镀金属层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于：所述预镀金属层包括Ti/Cu层，所述Ti/Cu层的厚度为300nm～500nm,厚度偏差5%且Cu层的厚度大于Ti层。

CN115799074A说明书1/7页

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一种嵌入式封装结构的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种嵌入式封装结构的制