CN115955199A 射频功率放大器和用于制作多赫帝功率放大器的方法 （拉麒）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115955199A(43)申请公布日2023.04.11

(21)申请号202211208616.9

(22)申请日2022.09.30

(30)优先权数据

17/496,9292021.10.08US

H03F3/213(2006.01)

(71)申请人拉麒

地址印度北方邦萨哈兰普尔市哈奇卡纳加区戴姚殖民区2C/1178号

(72)发明人拉麒

(74)专利代理机构北京汇智英财专利代理有限公司11301

专利代理师康过

(51)Int.CI.

HO3FHO3F

HO3F

1/02(2006.01)

1/56(2006.01)3/195(2006.01)

权利要求书5页说明书26页附图16页

(54)发明名称

射频功率放大器和用于制作多赫帝功率放大器的方法

CN115955199A本发明提出一种射频功率放大器和用于制作多赫蒂功率放大器的方法。所述射频功率放大器包括至少一电晶体、谐波消除电路以及阻抗逆变器。所述谐波消除电路的一端直接连接所述电晶体的汲极并且在基频的二次谐波及/或三次谐波的频率下作为所述电晶体的谐波匹配网路的一部分。所述阻抗逆变器用以在不受到谐波消除

CN115955199A

CN115955199A权利要求书1/5页

2

1.一种射频功率放大器，其特征在于，适于操作在基频并用以电性连接一负载，所述射频功率放大器包括：

至少一电晶体；以及

至少一混成匹配电路，电性连接于所述至少一电晶体的汲极和所述负载之间，其中所述混成匹配电路包括：

一第一电路，其第一端电性连接所述至少一电晶体的所述汲极，且其第二端电性连接所述负载；以及

一第二电路，电性连接于所述至少一电晶体的所述汲极和一射频接地端之间，

其中所述第一电路和所述至少一电晶体的一输出寄生元件在所述基频下作为所述射频功率放大器的一阻抗逆变器工作，并且所述第二电路在所述基频下提供相对于所述射频接地端的一高阻抗路径，以及

其中所述第二电路用以在所述基频的一第一目标谐波的频率下，提供相对于所述射频接地端的一阻抗，使从所述至少一电晶体的本质平面观察到的阻抗为一高阻抗和一低阻抗其中之一，以消除所述第一目标谐波。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二电路还用以在所述基频的一第二目标谐波的频率下，提供相对所述射频接地端的一阻抗，使从所述至少一电晶体的本质平面观察到的阻抗为所述高阻抗和所述低阻抗其中之另一，以消除所述第二目标谐波。

3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，当所述至少一电晶体为单一电晶体时，所述单一电晶体的谐波匹配网路是至少基于所述单一电晶体的至少一输出寄生元件、所述第一电路以及所述第二电路形成；以及当所述至少一电晶体为多个电晶体时，所述多个电晶体其中之一的谐波匹配网路是至少基于所述多个电晶体其中之一的输出寄生元件、所述第一电路以及所述第二电路形成。

4.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一目标谐波的频率为所述基频的二次谐波频率，以及所述第二目标谐波的频率为所述基频的三次谐波频率。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，在所述基频的第二谐波频率下，从所述至少一电晶体的本质平面观察到的阻抗为所述低阻抗；并且在所述基频的第三谐波频率下，从所述至少一电晶体的本质平面观察到的阻抗为所述低阻抗。

6.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一电路包括：

一传输电路，电性连接于所述第一端和所述第二端之间；

一第一电抗元件，电性连接于所述第一端和所述第二端其中之一与所述射频接地端之间；以及

一第二电抗元件，电性连接于所述第一端和所述第二端其中之另一与所述射频接地端之间。

7.如权利要求6的所述的射频功率放大器，其特征在于，所述传输电路包括一电感和一传输线中的至少一者。

8.如权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二电路包括一电容性元件以及二电感性元件，所述电容性元件与所述二电感性元件其中之一并联，并且所述电容性元件与所述二电感性元件其中之另一串联。

CN115955199A权利要求书2/5页

3

9.如权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，所述电容性元件