CN115954339A 一种硅基片上电感及其制作方法 （西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115954339A(43)申请公布日2023.04.11

(21)申请号202310225334.8

(22)申请日2023.03.10

(71)申请人西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

地址621000四川省绵阳市滨河北路西段

268号

(72)发明人李晓宇吴薄王梦佳兰洋

顾杰斌彭根斋唐宝权蒋运石

张志红张芦闫欢

H10N97/00(2023.01)B81B7/02(2006.01)H01F27/28(2006.01)

HO1F27/30(2006.01)

H01F27/26(2006.01)

HO1F17/04(2006.01)

(74)专利代理机构绵阳市博图知识产权代理事

务所(普通合伙)51235专利代理师杨金涛

(51)Int.CI.

HO1L23/522(2006.01)

HO1L23/64(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图8页

(54)发明名称

一种硅基片上电感及其制作方法

(57)摘要

CN115954339A本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架(9)、金属线圈(10)、磁环(11)和电极(12),其中，所述金属线圈(10)通过绕线的方式绕制在硅支架(9)上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环(11)绕制在金属线圈(10)中间，所述电极(12)堆叠在电感上并与金属线圈(10)实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明

CN115954339A

CN115954339A权利要求书1/1页

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1.一种硅基片上电感，其特征在于，包括硅支架(9)、金属线圈(10)、磁环(11)和电极(12),其中，所述金属线圈(10)通过绕线的方式绕制在硅支架(9)上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环(11)绕制在金属线圈(10)中间，所述电极(12)堆叠在电感上并与金属线圈(10)实现互联。

2.权利要求1所述的硅基片上电感的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)制作线圈硅片，其工序包括：

a)清洗硅片；b)热氧化；c)一次光刻；d)刻蚀SiO?;e)刻蚀线圈槽；f)刻蚀线圈孔；g)贴膜；h)二次光刻；i)刻蚀磁芯槽；

(2)制作电极硅片，其工序包括：

a)清洗硅片；b)一次光刻；c)刻蚀电极槽；d)二次光刻；e)刻蚀电极窗口连接通孔；f)热氧化；

(3)铸造制备器件，其工序包括：

a)对准；b)放置磁芯；c)合模；d)浇铸；e)固化；f)脱模；g)磨抛；h)划片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)的a)步骤中，所选择的硅片电阻率为5000Ω×cm～10000Ω×cm,厚度为600μm～800μm,清洗方法为RCA标准清洗，清洗后用晶圆甩干机甩干。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)的b)步骤中，所述热氧化的方法为：将a)步骤所得硅片放入热氧化炉，通入N?和流量为0.5L/min～2L/min的0?,然后逐渐升温并增大0?的流量至6L/min~9L/min,并开始氧化反应，氧化结束后关闭0?,然后降温随后取出硅片，氧化后SiO?绝缘层厚度控制在200nm~1000nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)的d)步骤采用RIE刻蚀法或者湿法刻蚀，e)步骤采用DRIE刻蚀法，i)步骤采用DRIE刻蚀法。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)的a)步骤中，所选择的硅片电阻率为5000Ω×cm～10000Q×cm,厚度为200μm～350μm,清洗方法为RCA标准清洗，清洗后用晶圆甩干机甩干。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)的c)和e)步骤均采用DRIE刻蚀法。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)的f)步骤中，所述热氧化的方法为：将e)步骤所得硅片放入热氧化炉，通入N?和流量为0.5L/min～2L/min的0?,然后逐渐升温并增大0?的流量至6L/min～9L