CN114664848A 三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114664848A(43)申请公布日2022.06.24

(21)申请号202210203803.1

(22)申请日2022.03.03

H01L27/11556(2017.01)

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人王迪张中

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.CI.

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27/1157(2017.01)27/11575(2017.01)

27/11582(2017.01)

27/11524(2017.01)

27/11548(2017.01)

权利要求书4页说明书31页附图32页

(54)发明名称

三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备

(57)摘要

本公开提供了一种三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，

CN114664848A旨在改善栅线材料填充不实的问题。所述三维存储器包括层叠设置的多个介质层，多个沟道结构和多个接触结构，第一栅线隔离结构，中间隔离结构以及第二栅线隔离结构。中间隔离结构从阵列区延伸至过渡区，第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构从阵列区延伸至接触区。介质层包括第一子栅线、第二子栅线以及连接部。连接部在第一方向上超出中间隔离结构，且与第一子栅线和第二子栅线接触。第一子栅线在靠近接触区的一端的中部具有第一缺口，第二子栅线在靠近接触区的一端的中部具有第二缺口，在第二方向

CN114664848A

CN114664848A权利要求书1/4页

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1.一种三维存储器，其特征在于，具有阵列区，过渡区以及接触区，所述过渡区设置在所述阵列区和所述接触区之间；

所述三维存储器包括：

层叠设置的多个介质层；

在所述多个介质层中延伸的多个沟道结构和多个接触结构，所述多个沟道结构设置在所述阵列区中，所述多个接触结构设置在所述接触区中；

贯穿所述多个介质层的第一栅线隔离结构，中间隔离结构以及第二栅线隔离结构，所述中间隔离结构位于所述第一栅线隔离结构和所述第二栅线隔离结构之间，所述中间隔离结构从所述阵列区延伸至所述过渡区，所述第一栅线隔离结构和所述第二栅线隔离结构从所述阵列区延伸至所述接触区；

其中，所述介质层包括第一子栅线，第二子栅线以及连接部，所述第一子栅线位于所述第一栅线隔离结构和所述中间隔离结构之间，所述第二子栅线位于所述第二栅线隔离结构和所述中间隔离结构之间，所述连接部在第一方向上超出所述中间隔离结构，且与所述第一子栅线和所述第二子栅线接触，所述第一子栅线在靠近所述接触区的一端的中部具有第一缺口，所述第二子栅线在靠近所述接触区的一端的中部具有第二缺口，在第二方向上，所述连接部未超出所述第一缺口和所述第二缺口相互靠近的边沿，所述第一方向为所述中间隔离结构的延伸方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述介质层还包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线和所述第二连接线从所述过渡区延伸至所述接触区；

所述第一连接线位于所述第一栅线隔离结构靠近所述多个接触结构的一侧，所述第二连接线位于所述第二栅线隔离结构靠近所述多个接触结构的一侧；

所述三维存储器包括第一接触结构和第一介质层，所述第一接触结构为所述多个接触结构中的一个，所述第一介质层为所述多个介质层中的一个；

所述第一接触结构通过所述第一介质层中的第一连接线与所述第一介质层中的第一子栅线电连接。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，

所述第一接触结构与第一栅线隔离结构之间的距离小于所述第一接触结构与所述第二栅线隔离结构之间的距离。

4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，

所述三维存储器还包括第二接触结构和第二介质层，所述第二接触结构为所述多个接触结构中的一个，所述第二介质层为所述多个介质层中的一个；

所述第二接触结构通过所述第二介质层中的第二连接线与所述第二介质层中的第二子栅线电连接；

所述第二接触结构与所述第二栅线隔离结构之间的距离小于所述第二接触结构与所述第一栅线隔离结构之间的距离。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述接触结构包括沿所述三维存储器的厚度方向依次设置的接触部和连