CN114664849A 三维存储器及其制作方法、存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114664849A(43)申请公布日2022.06.24

(21)申请号202210204931.8

(22)申请日2022.03.02

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人杨子晋卢峰魏健蓝周文斌霍宗亮

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

HO1L27/11524(2017.01)

HO1L27/11556(2017.01)

权利要求书2页说明书17页附图36页

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法、存储系统

(57)摘要

CN114664849A本公开提供了一种三维存储器及其制作方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低形成深宽比较大的沟道孔的工艺难度。三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的牺牲层和第一介质层。形成贯穿初始叠层结构的开口。沿平行于衬底的方向，去除牺牲层中靠近开口的部分，形成第一凹陷部。在具有第一凹陷部的开口的内壁上形成材料层，材料层的表面上具有位于第一凹陷部中的第二凹陷部。在第二凹陷部中形成保护部，材料层中被保护部遮挡的部分为第一部

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CN114664849A权利要求书1/2页

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1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替叠置的牺牲层和第一介质层；

形成贯穿所述初始叠层结构的开口；

沿平行于所述衬底的方向，去除所述牺牲层中靠近所述开口的部分，形成第一凹陷部；

在具有所述第一凹陷部的开口的内壁上形成材料层，所述材料层的表面上具有位于所述第一凹陷部中的第二凹陷部；

在所述第二凹陷部中形成保护部，所述材料层中被所述保护部遮挡的部分为第一部分，其余部分为第二部分；

对所述材料层的第二部分进行改性；

去除所述保护部和所述材料层的第一部分。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述保护部包括第一端部和第二端部，且沿平行于所述衬底的方向，所述第二端部相较于所述第一端部远离所述牺牲层；

所述第二端部沿垂直于所述衬底的方向的尺寸，大于所述第一端部沿垂直于所述衬底的方向的尺寸。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述第二端部沿垂直于所述衬底的方向的尺寸，大于或大致等于所述牺牲层的厚度。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成材料层的步骤之前，修整所述第一凹陷部的侧壁，使得所述第一凹陷部的侧壁中远离所述牺牲层的部分为弧形，所述第一凹陷部的侧壁由所述第一介质层形成；

所述第二凹陷部的侧壁中远离所述牺牲层的部分为弧形，所述保护部与所述第二凹陷部的侧壁中弧形的部分接触。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述第一凹陷部的凹陷深度大于所述材料层的厚度。

6.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

在所述第二凹陷部中形成保护部包括：

在所述材料层上形成掩膜层，所述掩膜层填充所述第二凹陷部；

去除所述掩膜层的一部分，形成所述保护部。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

对所述材料层的第二部分进行改性包括：

氧化所述材料层的第二部分。

8.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述材料层的材料为多晶硅或氮化硅。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

具有所述第一凹陷部的开口延伸至所述衬底内，所述材料层还覆盖所述衬底中被具有所述第一凹陷部的开口露出的表面。

10.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，还包括：

在第三凹陷部中形成填充部，所述第三凹陷部是通过去除所述保护部和所述材料层的

CN114664849A权利要求书2/2页

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第一部分形