CN114649321A 光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114649321A(43)申请公布日2022.06.21

(21)申请号202210259164.0

(22)申请日2022.03.14

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人舒适黄睿李翔吴谦刘玉杰徐传祥岳阳李少辉姚琪

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所

11330

专利代理师张筱宁王存霞

(51)Int.CI.

HO1L25/16(2006.01)

HO1L21/50(2006.01)

HO1L31/0232(2014.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

光电子集成基板及其制作方法、光电子集成

电路

(57)摘要

CN114649321A本申请提供一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，本光电子集成基板包括基底、电子元件和光学传感器，光学传感器包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层，第一反射层在基底上的正投影与第二反射层在基底上的正投影交叠，第一反射层和第二反射层用于形成谐振腔，吸收层位于谐振腔内。通过在光学传感器中设置第一反射层和第二反射层，第一反射层和第二反射层构成的谐振腔可以使入射到光学传感器中特定波长范围内的光线持续反射震荡，由此可以使吸收层充分地吸收特定

CN114649321A

CN114649321A权利要求书1/2页

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1.一种光电子集成基板，其特征在于，包括：

基底；

电子元件，设置在所述基底的一侧；

光学传感器，与所述电子元件连接，设置在所述基底的一侧，包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层；

其中，所述第一反射层在所述基底上的正投影与所述第二反射层在所述基底上的正投影交叠，所述第一反射层和所述第二反射层用于形成谐振腔，所述吸收层位于所述谐振腔内。

2.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，所述吸收层位于所述谐振腔的波节处。

3.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述谐振腔的腔体长度小于或者等于750纳米；

所述基底的材料包括玻璃。

4.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，还包括滤光层，所述滤光层位于所述光学传感器远离所述基底的一侧，所述滤光层在所述基底上的正投影与所述吸收层在所述基底上的正投影交叠。

5.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

所述吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述吸收层与所述有源层同层设置。

6.根据权利要求5所述的光电子集成基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源漏极层，所述源漏极层位于所述有源层远离所述基底的一侧；

所述光学传感器包括设置在所述吸收层和所述第二反射层之间的电极层，所述电极层与所述吸收层电连接，所述电极层与所述源漏极层电连接且同层设置。

7.一种光电子集成电路，其特征在于，包括如权利要求1至6中任意一项所述的光电子集成基板。

8.一种光电子集成基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底的一侧制作电子元件和光学传感器，所述光学传感器包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层，所述光学传感器与所述电子元件连接；其中，所述第一反射层在所述基底上的正投影与所述第二反射层在所述基底上的正投影交叠，所述第一反射层和所述第二反射层用于形成谐振腔，所述吸收层位于所述谐振腔内。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述在所述基底的一侧制作电子元件和光学传感器，包括：

通过构图工艺在所述基底的一侧制作第一反射层；

通过构图工艺在所述第一反射层远离所述基底的一侧制作第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第一非晶硅层位于需要制作所述薄膜晶体管的区域，所述第二非晶硅层位于需要制作所述光学传感器的区域；

通过构图工艺和掺杂工艺对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层进行掺杂，对所述

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第一非晶硅层掺杂后形成所述薄膜晶体管的有源层，对所述第二非晶硅层掺杂后形成吸收层；

通过构图工艺在所述有源层远离