CN118824862A 一种基于fcbga封装基板的硅基中间层及制作方法 （上海美维科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118824862A

(43)申请公布日2024.10.22

(21)申请号202310428476.4

(22)申请日2023.04.20

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人刘青林查晓刚付海涛

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H01L21/48(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种基于FCBGA封装基板的硅基中间层及制

作方法

(57)摘要

本发明提供一种基于FCBGA封装基板的硅基

中间层及制作方法，该方法包括：提供封装基板，

封装基板包括芯板层和上增层，上增层位于芯板

层上方与芯板层电连接，封装基板中形成有多个

芯片凹槽，芯片凹槽中设有集成芯片，其中，集成

芯片包括第一芯片和第二芯片，第一芯片与封装

基板电连接；提供硅基中间层，硅基中间层设置

于封装基板的上方，硅基中间层的一端与第一芯

片电连接，硅基中间层的另一端与第二芯片电连

接。本发明中硅基中间层作为集成芯片与集成芯

片之间高速信号传输通道，能够实现FCBGA封装

A基板高速信号的传输，且能够在封装基板的表层

2布置更多的芯片，提高封装基板利用率，使得基

6

8

4于封装基板的硅基中间层的产品具有更强大的

2

8

8能力。

1

1

N

C

CN118824862A权利要求书1/2页

1.一种基于FCBGA封装基板的硅基中间层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供封装基板，所述封装基板包括芯板层和上增层，所述上增层位于所述芯板层上方

与所述芯板层电连接，所述封装基板中形成有多个芯片凹槽，所述芯片凹槽中设置有集成

芯片，其中，所述集成芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片与所述封装基板电连

接；

提供硅基中间层，所述硅基中间层设置于所述封装基板的上方，所述硅基中间层的一

端与所述第一芯片电连接，所述硅基中间层的另一端与所述第二芯片电连接。

2.根据权利要求1所述的基于FCBGA封装基板的硅基中间层的制作方法，其特征在于，

所述芯片凹槽位于所述芯板层中，于所述封装基板中形成所述芯片凹槽，于所述芯片凹槽

中设置所述集成芯片的步骤包括：

提供一所述芯板层，所述芯板层包括芯板介质层、芯板上导电层和芯板下导电层，其

中，所述芯板上导电层位于所述芯板介质层的上表面，所述芯板下导电层位于所述芯板介

质层的下表面，所述芯板介质层中设有导电通孔用于将所述芯板上导电层与所述芯板下导

电层电连接；

于所述芯板层的预设位置形成所述芯片凹槽；

提供所述集成芯片，将所述集成芯片的电极朝上置于所述芯片凹槽中，所述集成芯片

包括多个所述第一芯片与多个所述第二芯片；

于所述芯板层上形成所述上增层，多个所述第一芯片通过所述上增层与所述芯板层电

连接，多个所述第二芯片通过所述上增层电连接，其中，所述硅基中间层位于所述上增层上

方将所述第一芯片和所述第二芯片电连接。

3.根据权利要求1所述的基于FCBGA封装基板的硅基中间层的制作方法，其特征在于，

所述芯片凹槽位于所述上增层中，所述上增层包括上增层下部和上增层上部，于所述封装

基板中形成所述芯片凹槽，于所述芯片凹槽中设置所述集成芯片的步骤包括：

提供一所述芯板层，所述芯板层包括芯板介质层、芯板上导电层和芯板下导电层，其

中，所述芯板上导电层位于所述芯板介质层的上表面，所述芯板下导电层位于所述芯