CN115377194A 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115377194A(43)申请公布日2022.11.22

(21)申请号202211061410.8

(22)申请日2022.08.31

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

申请人电子科技大学广东电子信息工程研究院

(72)发明人邓小川成志杰郭国强李旭孙燕李轩张波

HO1LHO1L

29/739(2006.01)

21/331(2006.01)

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232专利代理师敖欢

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图7页

(54)发明名称

一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN115377194A本发明提供一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明器件包括自下而上设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、电荷储存区、栅极结构、层间介质层和金属发射极，存在两个凹槽，其间形成P型电位调制