CN115244667A 经图案化的有机膜的制造方法、经图案化的有机膜的制造装置、利用其制作出的有机半导体器件以及包含有机半导体器件的集成电路 （国立大学法人东京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115244667A(43)申请公布日2022.10.25

(21)申请号202180020677.X

(22)申请日2021.03.10

(30)优先权数据

2020-0406472020.03.10JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.09.09

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2021/0096582021.03.10

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/182545JA2021.09.16

(71)申请人国立大学法人东京大学地址日本东京

(72)发明人竹谷纯一渡边峻一郎佐佐木真理牧田龙幸

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师吕琳朴秀玉

(51)Int.CI.

H01L21/336(2006.01)

H01L29/786(2006.01)

H01L51/48(2006.01)

H01L51/50(2006.01)

H05B33/10(2006.01)

权利要求书2页说明书25页附图24页

(54)发明名称

经图案化的有机膜的制造方法、经图案化的有机膜的制造装置、利用其制作出的有机半导体器件以及包含有机半导体器件的集成电路

(57)摘要

CN115244667A本公开提供一种图案化方法，该图案化方法能够不对有机半导体膜造成损伤而能进行图案化；不对基底的基板、绝缘膜等造成损伤；能够应用于广泛种类的有机材料特别是有机半导体材料；以及低成本。本公开涉及经图案化的有机膜的制造方法，其包括：使用涂布法，在亲水性且非水溶性的第一基板上形成疏水性有机膜；将形成于所述第一基板上的有机膜按压于具有凸部和凹部的印模的所述凸部；对所述第一基板与所述有机膜的界面应用水或水溶液，将所述有机膜转印到所述凸部；以及将转移到所述凸部的有机膜按压于第二基板，将所述有机膜转移到所述第二

CN115244667A

CN115244667A权利要求书1/2页

2

1.一种经图案化的有机膜的制造方法，其包括：

使用涂布法，在亲水性且非水溶性的第一基板上形成疏水性有机膜；

将形成于所述第一基板上的有机膜按压于具有凸部和凹部的印模的所述凸部；

对所述第一基板与所述有机膜的界面应用水或水溶液，将所述有机膜转印到所述凸部；以及

将转印到所述凸部的有机膜按压于第二基板，将所述有机膜转印到所述第二基板而得到经图案化的有机膜，

所述有机膜和所述第二基板中的至少一方为有机半导体。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

所述凸部最上部与所述凹部最低部之间的距离为2～100μm。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

所述经图案化的有机膜包括10个以上有机膜，各个有机膜具有厚度为2nm以上、宽度为500nm以上以及长度为500nm以上，相邻的有机膜彼此的间隔为1μm以上。

4.一种经图案化的有机膜的制造装置，其包括：

印模配置部，构成为配置具有凸部和凹部的印模；

第一基板配置部，构成为能够配置在表面具有有机膜的亲水性且非水溶性的第一基板；

第二基板配置部，构成为能够配置第二基板；

第一驱动部，构成为能够以将所述第一基板上的有机膜按压于所述印模的所述凸部而将所述有机膜配置于所述凸部上以及使所述第一基板从配置于所述凸部上的有机膜分离的方式，移动所述第一基板和所述印模中的至少一方；

第一控制部，构成为对将所述第一基板上的有机膜按压于所述印模的所述凸部的力进行控制；

水或水溶液的供给部，构成为向所述有机膜与所述第一基板的界面供给水或水溶液；

第二驱动部，构成为能够以将配置于所述印模的凸部上的有机膜按压于所述第二基板而将经图案化的有机膜配置于所述第二基板上以及使所述印模从配置于所述第二基板上的经图案化的有机膜分离的方式，移动所述印模和所述第二基板中的至少一方；以及

第二控制部，构成为对将配置于所述印模的凸部上的有机膜按压于所述第二基板的力进行控制。

5.根据权利要求4所述的制造装置，其中，

所述第一控制部构成为对将所述有机膜按压于所述凸部时的所述有机膜的面内按压力的分布进行控制。

6.根据权利要求4或5所述的制造装置，其中，

所述第二控制部构成为对将所述有机膜按压于所述第二基板时的所述有机膜的面内按压力的分布进行控制。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的制造装置，其中，