CN115078503A 一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片及其制作方法 （武汉科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115078503A(43)申请公布日2022.09.20

(21)申请号202210706178.2

(22)申请日2022.06.21

(71)申请人武汉科技大学

地址430000湖北省武汉市和平大道947号

(72)发明人廖清林谢光远王典朱旭

吕俊涛

(74)专利代理机构武汉欣博智慧知识产权代理

事务所(普通合伙)42277专利代理师于福

(51)Int.CI.

GO1N27/41(2006.01)

G01N27/407(2006.01)

G01N27/30(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片及其制作方法

(57)摘要

CN115078503A本发明涉及一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片及其制作方法，在传感器芯片中；第二基片上通过冲孔形成有第一腔室和第二腔室对，第二腔室对包括相对第一腔室对称设置的两个第二腔室，第一腔室与第二腔室对中的两个第二腔室之间均预留有狭缝扩散通道；第一基片的上面印刷有公共外电极，第一基片的下面且与第一腔室对应的位置上印刷有非活性电极，第一基片的下面或第三基片的上面且与两个第二腔室对应的位置上分别印刷有活化电极和催化电极。本发明不仅可以用NO传感器的原理测量氨气，而且两种测量功能单元集成在一起，实现了

CN115078503A

34

3

4

CN115078503A权利要求书1/1页

2

1.一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片，其特征在于：包括由上至下依次层叠的第一基片、第二基片、第三基片、第四基片、第五基片以及第六基片；所述第二基片上通过冲孔形成有第一腔室和第二腔室对，所述第二腔室对包括相对所述第一腔室对称设置的两个第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室对中的两个第二腔室之间均预留有狭缝扩散通道；所述第一基片的上面印刷有公共外电极，所述第一基片的下面且与所述第一腔室对应的位置上印刷有非活性电极，所述第一基片的下面或所述第三基片的上面且与两个所述第二腔室对应的位置上分别印刷有活化电极和催化电极，所述第三基片的下面或所述第四基片的上面印刷有参考电极，所述第五基片的下面或所述第六基片的上面印刷有加热电阻，且所述加热电阻通过贯穿所述第六基片的加热电阻引线与所述第六基片下面印刷的加热电阻引脚相连。

2.制作如权利要求1所述的同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片的方法，其特征在

于：包括以下步骤，

准备六块基片，六块基片分别为第一基片、第二基片、第三基片、第四基片、第五基片以及第六基片；

对所述第二基片进行冲通孔，并在所述第二基片上形成第一腔室和第二腔室对；其中，所述第二腔室对包括相对所述第一腔室对称设置的两个第二腔室，在所述第一腔室与所述第二腔室对中的两个第二腔室之间均预留有狭缝扩散通道；

在所述第一基片的上面印刷公共外电极；

在所述第一基片的下面且与所述第一腔室对应的位置上印刷非活性电极；

在所述第一基片的下面或所述第三基片的上面且与两个所述第二腔室对应的位置上分别印刷活化电极和催化电极；

在所述第三基片的下面或第四基片的上面印刷参考电极；

在所述第五基片的下面或第六基片的上面印刷加热电阻；

在所述第六基片的下面印刷加热电阻引脚，在所述第六基片上制作贯穿所述第六基片的小孔，并通过所述小孔印刷加热电阻引线，且使所述加热电阻引线的两端分别与所述加热电阻以及所述加热电阻引脚相连；

将所述第一基片、所述第二基片、所述第三基片、所述第四基片、所述第五基片以及所述第六基片从上至下依次层叠，并经过等静压叠合成为芯片生坯，所述芯片生坯经过排胶并在1300～1500摄氏度的温度烧结1～3小时，制得所述的同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片。

CN115078503A说明书1/9页

3

一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及传感器领域，具体涉及一种同时测量氮氧化物和氨气的传感器芯片及其制作方法。

背景技术

[0002]目前测量NO(氮氧化物)的浓度典型的是德国大陆公司的产品，是基于氧化锆电化学原理的NO传感器。氨气传