寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响分析及建模.pdfVIP

第8卷第2期空天防御

2025年4月AIRSPACEDEFENSE·103·

寄生参数对SiCMOSFET开关特性的

影响分析及建模

于泓，刘宜罡，李颖，乔金鑫，简方恒

（上海机电工程研究所，上海201109）

摘要：为了探究功率驱动电路中寄生参数对SiCMOSFET高速开关特性的影响，对SiCMOSFET的材料特性

及其开关瞬态行为中的动态特性进行系统研究。重点分析各种寄生元件参数对其开关过程的影响，建立SiC

MOSFET在导通和关断过程的理论模型，开发双脉冲仿真平台；构建与实物参数一致的虚拟仿真环境，通过仿真和

试验两种方法获取SiCMOSFET在不同栅源极电容和栅极电阻下的测试曲线。将仿真结果和试验结果进行对比，

验证了栅源极电容和栅极电阻对SiCMOSFET开关瞬态行为的影响，同时也检验了本文仿真模型的准确性和

精度。

关键词：功率驱动电路；电力电子；碳化硅（SiCMOSFET）；寄生参数；双脉冲试验

中图分类号：TM921文献标志码：A文章编号：2096-4641（2025）02-0103-09

AnalysisandModelingoftheImpactofParasiticParameters

onSiCMOSFETSwitchingCharacteristics

YUHong，LIUYigang，LIYing，QIAOJinxin，JIANFangheng

（ShanghaiElectro-MechanicalEngineeringInstitute，Shanghai201109，China）

Abstract:ToexploretheeffectsofparasiticparametersinthepowerdrivingcircuitontheSiCMOSFEThigh-speedswitch

characteristics,thispapersystematicallystudiedthematerialpropertiesofSiCMOSFETandthedynamiccharacteristicsin

thetransientbehaviourofswitching.Theinfluenceofvariousparasiticelementparametersontheswitchingprocesswas

analysed.ThetheoreticalmodelofSiCMOSFETintheturn-onandturn-offprocesswasestablished,andadouble-pulse

simulationplatformwasdeveloped.Avirtualsimulationenvironmentconsistentwiththephysicalparameterswas

constructed,andthetestcurvesofSiCMOSFETunderdifferentgate-sourcecapacitancesandgateresistancewereacquired

throughsimulationandexperiment.Finally,thesimulationres