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CMOS工艺流程.版图.剖面;1)简化N阱CMOS

工艺演示;氧化层生长;曝光;氧化层的刻蚀;N阱注入;形成N阱;氮化硅的刻蚀;场氧的生长;去除氮化硅;重新生长二氧化硅（栅氧）;生长多晶硅;刻蚀多晶硅;刻蚀多晶硅;P+离子注入;N+离子注入;生长磷硅玻璃PSG;光刻接触孔;刻铝;刻铝;光刻8，刻压焊孔掩膜版;2)清华工艺录像;初始氧化;光刻1，刻N阱;N阱形成;Si3N4淀积;光刻2，刻有源区，场区硼离子注入;场氧1;光刻3;场氧2;栅氧化，开启电压调整;多晶硅淀积;光刻4，刻NMOS管硅栅，

磷离子注入形成NMOS管;光刻5，刻PMOS管硅栅，

硼离子注入及推进，形成PMOS管;磷硅玻璃淀积;光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔);蒸铝、光刻7，刻铝、

光刻8，刻钝化孔

（图中展示的是刻铝后的图形）;离子注入的应用;39;N阱硅栅CMOS工艺流程;形成N阱

初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层

光刻1，定义出N阱

反应离子刻蚀氮化硅层

N阱离子注入，先注磷31P+，后注砷75As+;形成P阱

在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化

去掉光刻胶及氮化硅层

P阱离子注入，注硼;推阱

退火驱入，双阱深度约1.8μm

去掉N阱区的氧化层;形成场隔离区

生长一层薄氧化层

淀积一层氮化硅

光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来

反应离子刻蚀氮化硅