CN115064617A 一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法 （重庆翰博显示科技研发中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115064617A(43)申请公布日2022.09.16

(21)申请号202210662276.0

(22)申请日2022.06.13

(71)申请人重庆翰博显示科技研发中心有限公司

地址400700重庆市北碚区云汉大道117号

附664号

(72)发明人崔慧胡建吴蕾

(74)专利代理机构重庆上义众和专利代理事务所(普通合伙)50225

专利代理师孙人鹏

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

33/00(2010.01)

33/24(2010.01)

33/10(2010.01)

33/32(2010.01)

权利要求书1页

说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制

作方法

(57)摘要

CN115064617A一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法，包括如下步骤：S1:使用金属有机化学气相沉方法在平面PSS上生长基于GaN的LED;S2:LED晶片在N?气氛下，以750℃退火，用于激活p-GaN中的Mg受体；S3:通过BCl?/Cl?的光刻和电感耦合等离子体蚀刻工艺进行混合气体，以在LED晶片上形成台面结构和深隔离沟槽；S4:将LED晶片浸入85℃的15wt%四甲基氢氧化铵溶液中，通过四甲基氢氧化铵的晶体学蚀刻程序在LED晶片上蚀刻；S5:用去离子水冲洗蚀刻后的LED晶片，在N?气流下干燥后，在p-GaN层上蒸发60nm厚的氧化铟锡透明导电层；本发明引入由基于四甲基氢氧化铵(TMAH)

CN115064617A

在平面生长基于

在平面生长基于GaN的LED

750℃退火，用于激活p-GaN中的Mg受体

在LED晶圆上形成台面结构和深隔离沟槽

对LED晶圆上蚀刻

蒸发60nm厚的氧化铟锡透明导电层

设置欧姆接触层

设置分布式布拉格反射器

在LED晶圆设置接触垫

CN115064617A权利要求书1/1页

2

1.一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法，其特征在于：

包括如下步骤：

S1:使用金属有机化学气相沉方法在蓝宝石基板上生长基于GaN的LED;

S2:LED晶圆在N?气氛下，以750℃退火，用于激活p-GaN中的Mg受体；

S3:通过等离子体蚀刻工艺在LED晶圆上形成台面结构和深隔离沟槽；

S4:将LED晶圆浸入85℃的15wt%四甲基氢氧化铵溶液中，通过四甲基氢氧化铵的晶体学蚀刻程序在LED晶片上蚀刻；

S5:用去离子水冲洗蚀刻后的LED晶片，在N?气流下干燥后，在p-GaN层上蒸发60nm厚的氧化铟锡透明导电层；

S6:在透明导电层和n-GaN层上沉积有金属化的欧姆接触层；

S7:通过离子束沉积溅射十六对四分之一波长厚的TiO?/Si0?叠层，作为分布式布拉格反射器；

S8:使用基于CHF?/Ar/0的等离子体蚀刻工艺通过分布式布拉格反射镜打开通孔混合气；

S9:蒸发Cr/Ti/Pt/Au金属化作为接触垫；

S10:将LED晶圆制成芯片。

2.根据权利要求1所述一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法，其特征在于：在S6中，所述欧姆接触层采用蒸发Cr/Al/Ti/Pt/Au。

3.根据权利要求2所述一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法，其特征在于：

所述S10为，将LED晶圆减薄至约150μm,切割成尺寸为101μm×200μm的芯片。

4.根据权利要求3所述一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法，其特征在于：

金字塔结构pitch为45μm左右，深度角度45°,发光角度90°,深度尺寸范围为25～50μm。

CN115064617A说明书1/3页

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一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及LCD背光领域，具体涉及一种具有金字塔结构侧壁的MiniLED芯片制作方法。

背景技术

[0002]近年来，小型LED已被开发并应用于移动LCD背光。200微米以下的mini-LED的应用因其作为背光单元的长寿命、低能耗和